A posição dominante da SK hynix no mercado de memória HBM está assombrando a Samsung Electronics, que é o maior fabricante de chips de memória em geral. Segundo alguns relatos, a Samsung está pronta para seguir o exemplo de um concorrente ao adotar uma das tecnologias utilizadas nas embalagens dos chips HBM3 e HBM3E para ganhar o favor da Nvidia e aumentar a oferta de seus produtos para as necessidades deste cliente.
Fonte da imagem: SK Hynix
Segundo a Reuters, este ano a SK hynix controlará mais de 80% do fornecimento de memória HBM3 e HBM3E para as necessidades da Nvidia, e isso, dada a capacidade da Micron de fornecer seus chips HBM3E para aceleradores Nvidia H200, deixa a Samsung Electronics muito nervosa. Assim como a SK hynix, a Samsung já é capaz de criar pilhas HBM3E de 12 camadas, mas é a primeira a usar a tecnologia de refluxo de massa de preenchimento parcial de molde (MUF) para criar camadas isolantes entre matrizes de memória em uma pilha a partir de 2021, enquanto a Samsung tem assim até agora confiou no uso de filme não condutor de termocompressão (NCF), que proporciona piores condições de dissipação de calor.
Além disso, na linha de montagem da SK Hynix, o nível de rendimento dos chips HBM3 utilizáveis varia de 60 a 70%, de acordo com alguns especialistas, enquanto na Samsung mal chega a 10 a 20%, então esta última está interessada em melhorar a tecnologia de produção de chips de memória deste tipo. Para fazer isso, ele passará a usar o método MUF para isolar cristais de memória na pilha, ainda que gradualmente. A empresa está adquirindo os equipamentos e consumíveis necessários, mas só estará pronta para a produção em massa de memórias com tecnologia MUF no próximo ano. Espera-se que agora e durante algum tempo no futuro a Samsung combine as tecnologias NCF e MUF nas suas empresas. Pelo menos oficialmente, a Samsung considera a tecnologia NCF a solução ideal para a produção de chips de memória HBM3E.