A Micron introduziu módulos de memória baseados em registro (RDIMMs) para servidores de 128 GB que podem operar em velocidades de até 8.000 MT/s. Eles usam chips DDR5 monolíticos de 32 gigabits produzidos com a tecnologia de processo 1β (1-beta), que é a mais avançada do fabricante. A produção em massa desses módulos de RAM começará no próximo ano. A empresa também compartilhou seus planos para o futuro.
Fonte da imagem: Micron
De acordo com a empresa, a tecnologia usada para produzir matrizes de memória DDR5 monolíticas de 32 gigabits oferece uma série de vantagens em relação à tecnologia concorrente 3DS TSV (Through-Silicon Via). Assim, para os novos chips, um aumento na densidade de bits em mais de 45%, um aumento na eficiência energética em até 24%, uma redução na latência em até 16% e um aumento na eficiência nas tarefas de treinamento de IA em até para 28% são anunciados. A eliminação do 3DS TSV permitiu à Micron otimizar melhor os buffers de entrada e circuitos de E/S críticos, bem como reduzir a capacitância dos pinos nas linhas de dados.
No passado, a Micron dobrou a densidade da memória monolítica que morre aproximadamente a cada três anos. Com o desenvolvimento da tecnologia, a fabricante planeja passar à produção de cristais de memória monolítica de 48 gigabits e 64 gigabits, o que abrirá a perspectiva de criação de módulos de RAM com capacidade de 1 TB.
Além de anunciar módulos de memória RDMIMM DDR5-8000 em chips de memória 1β de 32 Gb, a empresa também divulgou planos atualizados para lançamentos futuros de produtos. A partir de meados de 2024, está previsto o início da produção em massa de chips de memória GDDR7 de 16 e 24 gigabits com taxa de transferência de dados de 32 GT/s (gigatransferências por segundo).
A partir de 2024, a empresa também planeja começar a produzir soluções de memória RDIMM, MCRDIMM e CXL com capacidades de 128–256 GB, e em 2026 – com capacidades de mais de 256 GB. A partir de 2026, o fabricante também começará a produzir módulos de memória LPCAMM2 com baixo consumo de energia, com capacidade de até 192 GB e velocidades de até 9.600 MT/s. Além disso, está previsto o lançamento de memórias HBM4 e HBM4E. Esta nova geração de memória de alto desempenho deve fornecer largura de banda de 1,5 TB/s a mais de 2 TB/s por pilha em capacidades que variam de 36 GB a 64 GB.