A Kioxia iniciará a produção de memória NAND de 332 camadas no próximo ano, tendo como primeiro alvo aplicações de IA (Inteligência Artificial).

A província de Iwate é notícia pela segunda vez hoje, mas desta vez não no contexto das possíveis consequências do recente terremoto, e sim em relação aos planos da Kioxia de iniciar a produção de memória NAND 3D avançada de 332 camadas em uma fábrica local a partir de 2026, tecnologia que terá alta demanda no segmento de servidores.

Fonte da imagem: Kioxia

A Kioxia classifica essa memória como sua décima geração. Comparada à oitava geração, ela aumenta o número de camadas de 218 para 332, elevando a densidade de armazenamento de dados em 59% e aumentando as taxas de transferência de dados em 33%. Além disso, a nova geração de memória reduz o consumo de energia. Contrariando previsões anteriores, a Kioxia produzirá essa memória em sua fábrica de Kitakami, e não em sua fábrica de Yokkaichi. Uma nova fábrica Fab 2 foi inaugurada neste local em setembro para atender a essas necessidades.

A empresa adota uma política de produção dupla, buscando produzir tanto memória de alta velocidade com investimento mínimo em atualizações quanto memória de estado sólido de alta capacidade com um número maior de camadas. A fábrica de Yokkaichi se concentrará na memória de alta velocidade, enquanto a fábrica de Kitakami produzirá memória de alta capacidade, cuja produção normalmente requer um investimento de capital significativo.

Até abril do próximo ano, a empresa em Yokkaichi iniciará a produção da memória de estado sólido 3D NAND de nona geração. Essa memória manterá o mesmo número de camadas da memória de oitava geração (218 camadas), mas apresentará desempenho aprimorado e consumo de energia reduzido. Essa memória é mais adequada para uso em smartphones. A memória de décima geração, com 332 camadas, será usada em SSDs de servidores de alta capacidade. A demanda por esses SSDs está atualmente muito alta em meio ao boom da IA, portanto, a Kioxia tem grande interesse na rápida implementação desse projeto.

A memória de nona geração envolve a fusão de duas camadas de memória separadas.Pastilhas de silício, uma das quais abriga as células de memória e a outra a lógica de controle. Até a sétima geração, inclusive, esse tipo de memória era fabricado em configuração monolítica em uma única pastilha. Um importante polo tecnológico está se formando gradualmente ao redor da fábrica da Kioxia em Kitakami, atraindo fornecedores tanto de equipamentos para produção de chips quanto de materiais.