IBM e Samsung inventaram VTFETs verticais para contornar a Lei de Moore e criar chips ultraeficientes

Na conferência IEDM em San Francisco, a IBM e a Samsung revelaram um novo design para a colocação vertical de transistores em chips. A tecnologia de transistores de efeito de campo de transporte vertical (VTFET) pode melhorar significativamente o desempenho ou reduzir o consumo de energia do chip em comparação com os chips tradicionais de tamanho comparável.

Fonte: geralt / pixabay.com

Em processadores e chipsets modernos, os transistores são aplicados a um wafer de silício em um plano horizontal. Por outro lado, ao usar VTFETs, os transistores são dispostos verticalmente.

De acordo com os desenvolvedores, esse tipo de desenvolvimento tem duas vantagens. Em primeiro lugar, muitas das restrições impostas às tecnologias atuais pela Lei de Moore são contornadas. Em segundo lugar, o novo design leva a perdas elétricas menores devido a um redirecionamento de energia mais eficiente. De acordo com as estimativas das empresas de desenvolvimento, isso permitirá a criação de chips que são duas vezes mais rápidos ou usam 85% menos energia do que semicondutores semelhantes criados com a tecnologia FinFET.

Segundo a IBM e a Samsung, um dia a utilização de tal processo técnico vai permitir o lançamento de smartphones que podem funcionar por uma semana inteira sem recarga e / ou realizar tarefas que consomem muita energia, incluindo criptomineração, com menor consumo de energia e menos danos ambientais .

IBM e Samsung não disseram quando pretendem comercializar o novo design. Essas não são as únicas empresas que estão tentando superar as limitações existentes. Em julho, a Intel anunciou a criação de uma opção de layout de transistor que permitiria ir além da nanoescala até 2024 e construir chips de acordo com o processo Intel 20A classe Angstrom usando um novo tipo de transistores RibbonFET.