SK hynix anunciou SSD PEB110 rápido no formato E1.S com interface PCIe 5.0 e memória 4D NAND

A SK hynix anunciou o desenvolvimento de SSDs de alto desempenho da família PEB110, projetados para uso em data centers. Afirma-se que essas unidades fornecem desempenho até 2x mais rápido e mais de 30% de melhoria na eficiência energética em comparação com produtos da geração anterior.

Os novos produtos, fabricados no formato E1.S, são equipados com interface PCIe 5.0. As capacidades são 2, 4 e 8 TB. As unidades são baseadas em chips de memória flash 4D NAND de 238 camadas. Diz suporte para a especificação OCP 2.5. Além disso, é mencionada a tecnologia SPDM (Security Protocol and Data Model): ela é responsável pela autenticação segura e monitoramento do servidor. Outras características técnicas ainda não foram divulgadas.

Fonte da imagem: SK Hynix

Os SSDs da série PEB110 são projetados para funcionar com aplicativos de IA que consomem muitos recursos. Os dispositivos estão atualmente sendo qualificados por potenciais clientes de grandes operadoras de data centers. A produção em massa de drives está prevista para ser organizada no segundo trimestre de 2025.

«O novo produto é baseado na melhor memória 4D NAND da categoria, que apresenta desempenho, qualidade e custo líderes do setor”, disse Ahn Hyun, chefe do Comitê N-S da SK hynix.

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