A Kioxia lançou uma versão atualizada de seu roteiro, revelando que sua próxima memória flash BiCS de 332 camadas de 10ª geração oferecerá apenas 2 TB de capacidade. Embora isso não pareça muito — os chips atuais de 218 camadas têm a mesma capacidade —, a fabricante sugeriu a possibilidade de lançar chips de memória flash de maior capacidade na 10ª geração sem usar a tecnologia Penta-Level Cell (PLC).
Fonte da imagem: Kioxia
Atualmente, a NAND de 332 camadas está em fase de desenvolvimento. Faz parte do que a Kioxia chama de “estratégia de eixo duplo” para o produto. Essa estratégia divide o desenvolvimento em duas áreas: aumentar o número de camadas para aumentar a capacidade e aprimorar o desempenho por meio da Arquitetura Baseada em Carga (CBA), que aumenta a taxa de transferência, reduz a latência e o consumo de energia. De acordo com a Kioxia, essa abordagem permite maior capacidade sem sacrificar a durabilidade.
O roteiro da Kioxia não menciona os planos da empresa para soluções de PLC, embora outros fornecedores já estejam trabalhando nessa direção. Em vez disso, a Kioxia parece estar planejando intensificar as melhorias de processo e o desenvolvimento de novos controladores para atender às necessidades do mercado.
Recentemente, a Kioxia se concentrou em duas famílias de SSDs: a série CM9, voltada para alto desempenho em aplicações de IA, e a série LC9, voltada para alta capacidade. Ambos os produtos são construídos com chips BiCS FLASH de 8ª geração, que implementam a tecnologia CBA e oferecem suporte a cargas de trabalho de alto desempenho e eficiência energética.
A Kioxia também anunciou que está preparando um SSD com memória XL-Flash SLC de alta taxa de IOPS. A expectativa é que o drive ultrapasse 10 milhões de IOPS. O lançamento oficial está previsto para o segundo semestre do próximo ano.