SK hynix iniciará a produção em massa de pilhas de memória HBM3E de 12 camadas este mês

A empresa sul-coreana SK hynix, segunda maior fabricante mundial de chips de memória, iniciará a produção em massa de pilhas de memória de alta velocidade HBM3E de 12 camadas até o final deste mês. A Reuters escreve sobre isso com referência a uma declaração de um dos gerentes seniores do fabricante.

Fonte da imagem: SK Hynix

O anúncio sobre o início iminente da produção em massa da memória HBM3E foi feito por Justin Kim, presidente e chefe da divisão de infraestrutura de IA da SK Hynix, falando no fórum da indústria Semicon Taiwan em Taipei.

Em julho, a SK hynix revelou planos para fornecer chips de memória HBM de nova geração (HBM3E de 12 camadas). O fabricante informou que as entregas em massa desses chips estão planejadas para o quarto trimestre deste ano, e a memória HBM4 começará no segundo semestre de 2025.

Memória de alta largura de banda (HBM) é um tipo de memória dinâmica de acesso aleatório (DRAM). O padrão foi introduzido pela primeira vez em 2013. Para economizar espaço e reduzir o consumo de energia, esses chips de memória consistem em várias matrizes empilhadas umas sobre as outras. O principal uso dessas pilhas de memória hoje são aceleradores gráficos especializados para trabalhar com algoritmos de inteligência artificial (IA). O uso de memória de alta largura de banda permite processar os enormes volumes de dados necessários para treinar modelos de IA.

Em maio, o CEO da SK Hynix, Kwak Noh-Jung, disse que a empresa havia reservado pedidos de produção de memória HBM para todo o ano de 2024 e quase concluído todo o ano de 2025.

Além da SK hynix, os principais fornecedores de memória HBM são Micron e Samsung Electronics. SK hynix é o principal fornecedor de chips HBM da Nvidia. No final de março, o fabricante entregou amostras de memória HBM3E a um de seus clientes, mas a SK Hynix se recusou a especificar quem exatamente.