Na próxima IEEE Solid State Circuit Conference (SSCC), que será realizada em fevereiro, não só a Samsung falará sobre a nova geração de memória de vídeo GDDR7. A empresa SK hynix vai anunciar um desenvolvimento semelhante.
Fonte da imagem: SK Hynix
A memória GDDR7 da SK hynix oferecerá velocidades de 35,4 Gbps por pino. Isso é menos do que a memória Samsung, que afirma velocidades de 37 Gbps. Porém, em ambos os casos os chips terão capacidade de 16 Gbit. Graças a isso, com a GPU suportando barramento de memória de 256 bits, até 16 GB de memória podem ser colocados em um lado da placa de vídeo.
Nem todos os chips de memória GDDR7 de nova geração oferecerão velocidades de 37 Gbit/s. Alguns chips serão mais lentos, como é o caso do SK hynix. No entanto, eles também encontrarão, sem dúvida, sua utilidade. Assim como a Samsung, a SK hynix usa modulação de amplitude de pulso PAM3 em GDDR7, bem como sua própria arquitetura de eficiência energética. Porém, a empresa não explica qual exatamente e se é semelhante aos quatro estados de clock de baixa velocidade, como nos chips Samsung.
Espera-se que a memória GDDR7 seja usada ativamente na nova geração de aceleradores gráficos, tanto no segmento de jogos quanto no segmento profissional. No entanto, os mercados de computação de IA e HPC continuarão a depender fortemente da memória de alto desempenho HBM3E. SK hynix também tem novos produtos aqui. A fabricante vai falar sobre novas pilhas de memória HBM3E de 16 camadas com capacidade de 48 GB, capazes de entregar velocidades de 1280 GB/s. Uma GPU equipada com quatro dessas pilhas de memória, totalizando 192 GB, será capaz de fornecer uma taxa de transferência de 5,12 TB/s.
A nova pilha de memória HBM3E da SK hynix apresenta uma nova fonte de alimentação TSV completa (via junção de silício) e um design RDQS de 6 fases. A fabricante também vai apresentar a nova memória LPDDR5T (LPDDR5 Turbo) para smartphones, tablets e laptops finos. Esses chips fornecem taxas de transferência de dados de até 10,5 Gbps por pino e operam a 1,05 V.