SK hynix apresentará memória HBM3 com largura de banda de até 896 GB/s e novos chips GDDR6 de alta velocidade em fevereiro

A empresa sul-coreana SK hynix participará da conferência internacional anual ISSCC 2022, durante a qual falará sobre a última atualização de especificação para a memória HBM3 que está desenvolvendo. Além disso, a fabricante de chips de memória está prestes a compartilhar detalhes sobre os novos chips GDDR6 de 27 Gb/s.

Fonte da imagem: SK Hynix

Os detalhes do próximo evento ainda são desconhecidos, mas os títulos das sessões confirmam o que a empresa planeja falar. Em outubro passado, a SK hynix introduziu pilhas de memória HBM3 de 12 camadas com velocidades de até 819 GB/s. Durante a conferência ISSCC 2022 de fevereiro, a fabricante falará sobre novas especificações para o HBM3, que possui largura de banda de até 896 GB/s. Por meio da tecnologia de calibração automática de montagem Silicon Via (TSV), desenvolvida usando algoritmos de aprendizado de máquina, ajudou a aumentar o rendimento. No momento, não se sabe se estamos falando apenas de uma tecnologia de produção de protótipos ou se o SK hynix realmente produzirá em massa esses chips de memória.

Fonte da imagem: ISSCC

A memória HBM3 da SK hynix oferecia taxas de transferência de dados de até 5,2 Gb/s por pino (665 GB/s para todo o módulo de memória) na primeira versão das especificações. No entanto, alguns meses depois, o fabricante introduziu uma segunda especificação com um aumento de 23% para 6,4 Gb/s de taxa de transferência de dados por contato ou 819 GB/s para toda a pilha. Naqueles chips que a SK hynix vai falar em fevereiro, a taxa de transferência foi aumentada para 7 Gb/s por contato, ou seja, 10% sobre os valores de outubro.

Fonte da imagem: VideoCardz

Na conferência, a fabricante também falará sobre novos chips de memória GDDR6 com largura de banda de 27 Gb/s, capacidade de 16 Gb (2 GB) e novas tecnologias Merged-MUX TX, Optimized WCK Operation e Alternative Data-Bus.