Samsung lançará chips de 2 nm com novos transistores GAAFET em 2025

Na véspera do Samsung Foundry Forum, a Samsung compartilhou detalhes sobre o momento do início da produção em massa de chips com transistores GAAFET promissores, e também indicou quando você pode esperar a introdução da tecnologia de produção de 2 nm.

Doravante fonte: anandtech.com

GAAFETs (Gate-All-Around Transistors) se tornarão uma das principais tecnologias na fabricação de semicondutores após o ciclo de vida dos atuais FinFETs 3D. Com os novos transistores, será possível aumentar o desempenho de processadores e outros componentes com menor consumo de energia. A Samsung afirmou repetidamente que a primeira geração do GAAFET será implementada em 3nm nas versões 3GAE e 3GAP.

Espera-se que a indústria de semicondutores mude para nanofolhas GAAFET quando a tecnologia FinFET padrão de hoje esgotar suas capacidades. Cada um dos maiores fabricantes do mundo, à sua maneira, denota a implementação desta tecnologia. A Intel tem RibbonFET, enquanto a Samsung tem MBCFET (FET de canal de várias pontes). Mas em todos os casos, um princípio é usado – largura variável e número de canais de nanofolha condutora, o que torna possível melhorar o controle sobre a corrente. Os FinFETs usam várias aletas (ou “aletas”) para fornecer um tamanho de canal fixo, enquanto o GAAFET permite que os tamanhos dos canais sejam variados e o transistor pode ser otimizado para cada tarefa específica – aumentando o desempenho ou reduzindo o consumo de energia.

Nos últimos anos, todos os principais fabricantes discutiram a tecnologia GAAFET em eventos especializados. Em julho deste ano, no evento Intel Accelerated, a empresa falou sobre o futuro desenvolvimento da tecnologia. A transição para GAAFET (Intel RibbonFET) é esperada em 2024 de acordo com a tecnologia de processo 2nm. A TSMC planeja ficar com FinFET, usando esta solução mesmo na tecnologia de processo 3nm, enquanto a implementação do Gate-All-Around será marcada pela transição para 2nm. O fabricante taiwanês ainda não anunciou o momento exato, pois espera que as linhas N5 (5 nm) e N3 (3 nm) operem por um período relativamente longo.

Enquanto isso, a Samsung em 2019 anunciou a criação de um protótipo de chip baseado em transistores 3nm GAA. Há alguns meses, ela anunciou planos para iniciar a produção em massa desses chips já em 2022. A empresa já confirmou suas intenções e esclareceu o momento. MoonSoo Kang, vice-presidente sênior de estratégia de mercado da Samsung Foundry, apresentou o seguinte cronograma de produção de componentes GAAFET:

• A produção de produtos com a tecnologia 3GAE terá início no final de 2022;
• A produção de produtos com tecnologia 3GAP terá início no final de 2023;
• A preparação para a tecnologia 2GAP levará mais 2 anos, a produção em massa está planejada para 2025.

Ele também esclareceu que se trata de planos para a produção de componentes – a entrada de bens de consumo no mercado vai depender dos clientes da Samsung e de seus próprios cronogramas. Com base nisso, faz sentido adicionar um ou dois trimestres (3-6 meses), para que os produtos baseados no 2GAP cheguem ao consumidor em 2026.