A gigante sul-coreana Samsung, de acordo com fontes da Internet, anunciará o início da produção em massa de produtos semicondutores usando uma avançada tecnologia de processo de 3 nanômetros já na próxima semana.
Estamos falando do uso de transistores com portas em anel ou abrangentes GAA (Gate-All-Around). Em comparação com os transistores FinFET atuais, a nova tecnologia de processo fornece a capacidade de reduzir o consumo de energia em 50%, melhorar o desempenho em 30% e reduzir a pegada em 45%.
Assim, a Samsung poderá ficar à frente de seu concorrente no segmento de fabricação por contrato de semicondutores – TSMC. Este último pretende lançar a produção em massa de produtos de 3nm no segundo semestre deste ano.
Note-se também que a Samsung já iniciou o desenvolvimento de um processo de 2 nm. Mas em uma base comercial, ele será introduzido não antes de 2025.
De acordo com a TrendForce, a TSMC é líder no mercado global de fabricação de chips semicondutores com uma participação de 53,6% nas vendas totais em termos monetários (com base nos resultados do primeiro trimestre de 2022). A Samsung está em segundo lugar com uma pontuação de 16,3%.
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