Samsung falará sobre transistores GAA de terceira geração para chips de 2 nm em junho

A Samsung está desenvolvendo uma nova geração de transistores GAA (Gate-all-Around) que serão usados ​​em chips produzidos com sua tecnologia de processo de 2nm. A empresa planeja lançar a tecnologia no próximo ano. Isto foi relatado pela publicação sul-coreana Business Korea, citando suas fontes na indústria.

Fonte da imagem: Samsung

Citando suas fontes, a publicação também observa que a Samsung apresentará um relatório sobre a terceira geração da tecnologia GAA para sua tecnologia de processo de 2 nm (SF2) como parte da conferência de tecnologia de semicondutores VLSI Symposium 2024, que será realizada no Havaí a partir de junho. 16 a 20.

A tecnologia GAA, a primeira no mundo a ser comercializada pela Samsung, é uma tecnologia de produção de transistores com uma porta que circunda completamente o canal. Como a cada transição para um novo processo tecnológico os transistores do semicondutor ficam menores, fica cada vez mais difícil controlar o fluxo de corrente neles. No entanto, o GAA oferece uma arquitetura de transistor completamente nova que melhora sua eficiência energética.

Atualmente, a Samsung é a única empresa no mundo que pode produzir em massa tecnologia de transistor GAA para produção de chips. Ela começou a pesquisar o GAA no início dos anos 2000 e o implementou pela primeira vez em seu processo de 3 nm em 2022. No entanto, devido à instabilidade económica global, aos elevados custos de produção e a uma base limitada de clientes em sectores como os dispositivos móveis, a procura pelo processo de 3nm da Samsung revelou-se insignificante. Como resultado, a liderança na fabricação de chips de 3 nm passou para a fabricante taiwanesa de chips TSMC, que usa métodos de fabricação de transistores mais tradicionais (e mais baratos).

Em resposta, a Samsung está preparando uma segunda geração de transistores GAA para o processo de 3nm, que planeja lançar ainda este ano. E no próximo ano, a empresa apresentará a terceira geração de GAA para a tecnologia de processo de 2nm para consolidar sua liderança nessa direção. A TSMC e a Intel também planejam eventualmente mudar para a tecnologia GAA com a transição para um processo de fabricação de 2 nm, mas isso acontecerá depois da Samsung. Assim, a empresa sul-coreana terá alguma vantagem sobre os seus concorrentes. Pelo menos em teoria.

O nome oficial da tecnologia GAA da Samsung é MBCFET. Em comparação com a geração anterior de FinFETs da Samsung, a primeira geração de GAAs de 3 nm proporcionou um aumento de 23% no desempenho, um aumento de 16% na densidade e um aumento de 45% na eficiência energética. Espera-se que a segunda geração do GAA para tecnologia de processo de 3 nm forneça um aumento de 30% no desempenho, um aumento de 35% na densidade e uma redução de 50% no consumo de energia. Quanto à terceira geração de MBCFETs, espera-se também que melhore significativamente o desempenho com um aumento de mais de 50% na eficiência energética em comparação com a geração anterior de tecnologia.