Samsung falará sobre memória flash 3D QLC NAND de 280 camadas e chips DDR5-8000 de 32 gigabits em fevereiro

Além de falar sobre chips de memória GDDR7 com velocidade de 37 Gbps por contato, a Samsung Electronics também revelará detalhes sobre outros produtos inovadores na área de desenvolvimento de chips de memória na conferência IEEE-SSCC 2024, em fevereiro. Por exemplo, a empresa falará sobre futuros chips de memória flash 3D QLC NAND de 280 camadas e 1 Tbit. No futuro, eles serão usados ​​em unidades de estado sólido e smartphones.

Fonte da imagem: TechPowerUp

Esses chips de memória flash da Samsung oferecerão uma densidade de 28,5 Gbit/mm2 e uma velocidade de 3,2 GB/s. Para efeito de comparação, os atuais chips de memória flash 3D NAND mais rápidos usados ​​nas unidades NVMe mais avançadas fornecem velocidades de transferência de dados de até 2,4 GB/s.

A Samsung também falará no evento sobre a nova geração de chips de memória DDR5 padrão DDR5-8000 com capacidade de 32 Gbit (4 GB). Esses chips usam uma arquitetura simétrica de células de memória. Os próprios chips serão produzidos usando a tecnologia de processo de classe 10nm de 5ª geração da Samsung.

Com base nesses chips, os fabricantes de módulos de RAM poderão, no futuro, produzir cartões de memória DDR5-8000 de classificação única com capacidade de 32 e 48 GB ou módulos de memória de classificação dupla com capacidade de 64 ou 96 GB.