A fabricante chinesa de chips Innosilicon disse que conseguiu fazer com que os chips de memória LPDDR5X rodassem a uma velocidade impressionante de 10.000 Mbps. Isso é 17% superior a 8533 Mbps, que é a frequência máxima na especificação aprovada pelo JEDEC para LPDDR5X. Além disso, o fabricante chinês conseguiu reduzir os atrasos dos chips de memória LPDDR5X.
Os chips de memória LPDDR5X serão usados em dispositivos móveis de próxima geração no futuro. Vários fabricantes estão atualmente testando-os. Não faz muito tempo, por exemplo, a Qualcomm anunciou que validou a DRAM LPDDR5X da Samsung para funcionar com os próximos smartphones Snapdragon. A Samsung anunciou os primeiros chips de memória LPDDR5X de 14nm e 16Gb da indústria em novembro passado. Naquela época, a empresa anunciou que seus chips de memória seriam capazes de operar em velocidades de até 8.500 Mbps. Até o momento, foram validados microcircuitos com velocidades de até 7500 Mbps.
Parece que a Innosilicon está prestes a trazer chips LPDDR5X-10000 ainda mais rápidos ao mercado. De acordo com as especificações JEDEC, a memória LPDDR5X-8533 é capaz de fornecer até 68,2 GB/s de largura de banda. E o LPDDR5-6400 é capaz de transferir até 51,2 GB/s. No caso dos chips de memória LPDDR5X-10000, estamos falando de um throughput de 80 GB/s, que é 17% superior ao valor máximo declarado pelo JEDEC para esse tipo de memória e 56,2% superior ao LPDDR5-6400.
A Innosilicon também observa que conseguiu reduzir a latência dos chips LPDDR5X-10000 em 15%. Combinados com altas taxas de dados, esses chips oferecerão um aumento significativo de desempenho para dispositivos que variam de smartphones 5G e headsets de realidade virtual a sistemas de direção autônoma em carros.
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