A Samsung começou a fornecer protótipos de chips de memória de alto desempenho HBM3E de quinta geração, codinome Shinebolt, relata a publicação sul-coreana Business Korea. Com o crescimento contínuo da demanda por hardware de alto desempenho para tarefas relacionadas à inteligência artificial, esse tipo de memória está se tornando mais relevante em comparação com a DRAM convencional.
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Segundo a fabricante, os novos chips de memória HBM3E oferecem aproximadamente 50% mais largura de banda em comparação às soluções da geração anterior da Samsung. Os protótipos da Samsung têm um layout de oito camadas de chips de 24 gigabits. É relatado que o fabricante também está concluindo o desenvolvimento de chips de memória HBM3E de 12 camadas com capacidade de 36 GB.
Os primeiros testes mostram que a memória Samsung HBM3E, codinome Shinebolt, oferece 1,228 TB/s de largura de banda, que é superior aos mesmos chips HBM3E do líder da indústria SK Hynix.
Para produzir memória HBM, a Samsung aplica consistentemente o método de filme não condutor de compressão térmica (TC-NCF). Por sua vez, a SK hynix usa uma abordagem mais avançada Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF) para produzir seus chips de memória HBM, que é um método de combinar vários chips de memória em um único substrato por meio de soldagem.
De acordo com a Business Korea, a Samsung também continua a explorar processos mais avançados para montagem de pilhas de memória HBM usando soldagem híbrida.