A Intel revela a tecnologia de processo 18A-P: mais rápida, mais eficiente e com gerenciamento térmico aprimorado.

A Intel está aumentando a produção de seus próprios chips usando a tecnologia de processo 18A (classe de 1,8 nm) e, simultaneamente, trabalhando em sua versão aprimorada, a 18A-P, que entrará em produção nos próximos trimestres.

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A tecnologia 18A-P da Intel incorpora dois novos tipos de transistores, um controle mais rigoroso da variabilidade do processo e um gerenciamento térmico aprimorado, prometendo maior desempenho com menor consumo de energia. Talvez seja por isso que haja rumores de que ela seja de interesse da Apple. Comparada à 18A padrão, a 18A-P permitirá que os projetistas de chips aumentem o desempenho de seus componentes em 9%, mantendo o consumo de energia, ou reduzam o consumo de energia em 18%, mantendo o mesmo desempenho e complexidade.

Para alcançar esse objetivo, a Intel adotou um novo tipo de transistor, o RibbonFET, com um gate envolvente, e demonstrou versões otimizadas tanto para maior desempenho quanto para menor consumo de energia. Isso significa que é possível aumentar as frequências em áreas críticas enquanto se reduz o consumo de energia em áreas menos exigidas, contribuindo para a eficiência geral do sistema.

A tecnologia 18A-P mantém o mesmo espaçamento entre transistores (50 nm) e alturas de célula (180 nm e 160 nm) usados ​​na 18A, bem como a compatibilidade de projeto com a tecnologia da geração anterior. Isso significa que um chip projetado para 18A pode ser portado para 18A-P e melhorar imediatamente seu desempenho; no entanto, alcançar o desempenho máximo ainda exigirá uma reotimização da arquitetura.

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Outra vantagem do 18A-P é que a Intel reduziu a assimetria na qualidade dos chips dentro de um mesmo wafer em 30%. A diferença entre a qualidade dos chips “rápidos” e “lentos” diminuiu — ambos estão mais próximos do valor típico; a variabilidade do centro para a borda do wafer foi reduzida. A tecnologia de processo foi expandida para incluir opções adicionais de tensão de limiar: enquanto o 18A original permitia apenas quatro pares, agora ele pode acomodar mais de cinco. Isso ajuda a classificar os chips com mais precisão, garante um desempenho mais estável e aumenta a proporção de chips que atendem às especificações desejadas. Isso aumenta o rendimento de silício de alta qualidade por wafer, aumentando, consequentemente, o rendimento de produtos bons.

A redução da variância, no entanto, não teve impacto na taxa de defeitos associada às propriedades físicas do wafer ou às variações naturais durante a exposição — as tecnologias de processo de fabricação de wafers finos são inerentemente mais sensíveis a esses fatores. Mantendo a mesma geometria de transistor, a Intel alterou os valores de resistência e capacitância nas linhas metálicas, o que impactou a velocidade do sinal, o consumo de energia e a latência, embora a empresa não tenha fornecido valores específicos.

Por fim, o 18A-P apresentou melhorias no desempenho térmico, na confiabilidade e no comportamento da tensão — importantes tanto para produtos de consumo quanto para produtos profissionais. A Intel afirmou uma melhoria de 50% na condutividade térmica. Ao reduzir a resistência térmica, a empresa compensou a maior densidade de potência inerente aos transistores com gate envolvente. Isso reduziu a degradação.O desempenho dos transistores, que aumenta com a exposição prolongada a alta tensão e temperatura, é importante para produtos de servidor. Por fim, a tensão mínima de operação (Vmin) da lógica e da SRAM foi aprimorada, melhorando o desempenho em baixa tensão.