Semicondutores de próxima geração aumentarão a gama de veículos elétricos em 10%

Tradicionalmente, a maior parte da inovação em EVs se concentra no aumento da densidade de armazenamento de carga nas baterias, pois elas continuam sendo a parte mais cara e pesada dos EVs. Ao mesmo tempo, alguns desenvolvedores estão prontos para oferecer componentes semicondutores que, reduzindo as perdas na transmissão de eletricidade, estão prontos para fornecer um aumento na reserva de energia em 10%, mantendo-se todas as outras condições.

Fonte da imagem: Japan Chemical Daily

Como explica o Nikkei Asian Review, a startup japonesa Flosfia, fundada por pessoas da Universidade de Kyoto, estabelece tais objetivos. A jovem empresa está desenvolvendo uma tecnologia para a produção de eletrônica de potência usando óxido de gálio, que, quando introduzida nas usinas de veículos elétricos, permitirá que eles percorram 10% mais distância com uma única carga. As perdas na transmissão de energia elétrica com um novo tipo de semicondutor podem ser reduzidas em 70% em relação às soluções existentes.

Até o verão do próximo ano, a Folsfia espera começar a produzir centenas de milhares de produtos à base de óxido de gálio todos os meses, seus destinatários serão fabricantes de componentes automotivos como a japonesa Denso. Supõe-se que a produção em massa de tais componentes será estabelecida por empreiteiros japoneses, até o final da década, o faturamento do comércio nessa área deve crescer para US$ 732 milhões em veículos elétricos. Cerca de um quinto do mercado global de eletrônica de potência é controlado por empresas japonesas existentes, como Mitsubishi Electric, Toshiba e Fuji Electric. Jogadores jovens como Flosfia esperam se firmar com subsídios governamentais direcionados.

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