A empresa de semicondutores NXP Semiconductors anunciou uma colaboração com a fabricante taiwanesa de chips TSMC para produzir memória magnetorresistiva de acesso aleatório (MRAM) para aplicações automotivas, que será construída no processo FinFET de 16 nm pela primeira vez neste campo.
Fonte da imagem: NXP Semiconductors
Como as montadoras aumentam ativamente o lançamento de modelos de carros definidos por software, é necessário oferecer suporte ao lançamento de várias gerações de atualizações de software para a mesma plataforma de hardware. A NXP Semiconductors acredita que seus processadores S32, combinados com RAM não volátil rápida, altamente confiável e de próxima geração baseada na tecnologia FinFET de 16nm, fornecem a plataforma de hardware ideal para tais tarefas.
De acordo com a NXP Semiconductors, a MRAM pode atualizar 20 MB de código de programa em cerca de 3 segundos. Em comparação, a memória flash leva cerca de um minuto para concluir a mesma tarefa. Assim, o uso de MRAM minimiza o tempo de inatividade associado às atualizações de software e permite que as montadoras eliminem gargalos resultantes de longos tempos de programação do módulo. Além disso, a MRAM tem capacidade para até um milhão de ciclos de gravação e é 10 vezes mais confiável que o flash e outras novas tecnologias de memória.
As atualizações de software OTA permitem que as montadoras expandam a funcionalidade de suas linhas de carros, melhorando o conforto, a segurança e a conveniência de seus proprietários. À medida que a prática de equipar carros com recursos de software se torna mais comum, a frequência de atualizações desses recursos só aumenta. Diante desse cenário, a velocidade e a confiabilidade da memória MRAM se tornarão ainda mais importantes, de acordo com a NXP Semiconductors.
A tecnologia MRAM incorporada FinFET de 16 nm da TSMC excede em muito os requisitos da indústria automotiva. Ele suporta a tecnologia de solda de refluxo de solda medida, suporta até um milhão de ciclos de reescrita e também é capaz de manter os dados gravados nele por 20 anos em temperaturas extremas de até 150 graus Celsius.
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