\nA Intel há muito elogia a mudança para a fonte de alimentação traseira como uma vantagem importante, mas a mudança pode não ser tão irreversível. De acordo com a mídia sul-coreana, como parte da tecnologia de processo Intel 14A2, a empresa pode fornecer fonte de alimentação em ambos os lados do wafer de silício.\n\n
\n\nFonte da imagem: Intel\n\nComo a fonte explica, o problema está na redução da escala das estruturas dos transistores. Se, no âmbito do processo técnico básico 14A para a camada metálica inferior M0, a empresa pretende atingir um passo entre elementos adjacentes de estruturas de transistores de 28 nm, então, para reduzi-lo ainda mais para 21 nm, terá que fornecer uma versão modificada da tecnologia – 14A2. Sua principal inovação será a combinação da fonte de alimentação em ambos os lados do wafer, embora o lado reverso continue sendo o lado dominante.\n\nA resistência no nível de interconexão quando o passo da geometria é reduzido para menos de 21 nm aumenta exponencialmente, como explica a fonte. Uma infraestrutura de interconexão entre camadas (nTSV) projetada para fornecer energia do lado reverso do wafer de silício não será capaz de fornecer as condições necessárias para aumentar a densidade do transistor. Como resultado, ocorrerão quedas de tensão, tornando difícil dimensionar a geometria mantendo a fonte de alimentação apenas na parte traseira do wafer. A Intel tentará redistribuir a carga de energia em favor da parte frontal do wafer de silício, fornecendo-lhe energia para os elementos auxiliares do chip. Este arranjo híbrido de circuitos de potência permitirá à Intel fornecer uma margem mais pronunciada para aumentar a potência e aumentar a densidade do chip no contexto de uma implementação mais agressiva de novos processos tecnológicos.\n\nO processo tecnológico básico Intel 14A em nível de protótipo será dominado antes do final de 2028, e será introduzido na produção em massa não antes de 2029. Aparentemente, a versão do processo técnico14A2 aparecerá ainda mais tarde. No primeiro caso, a empresa espera aumentar a densidade do transistor em 1,3 vezes em relação à tecnologia de processo Intel 18A.\n