A Kioxia anunciou que começou a enviar amostras de chips de memória flash de célula tripla de bits (TLC) de 512 GB usando sua tecnologia BiCS Flash de 9ª geração. A produção em massa desses chips de memória está prevista para começar no ano fiscal de 2025.
Fonte da imagem: Kioxia
A empresa observa que sua nova solução foi projetada para aplicações que exigem alto desempenho e eficiência energética excepcional em sistemas de armazenamento de baixo e médio porte. Os novos chips de memória também serão usados nos SSDs empresariais da Kioxia, em particular aqueles projetados para uso em sistemas de inteligência artificial.
Os novos chips de memória BiCS Flash TLC de 512 Gb de 9ª geração, assim como os de 8ª geração, possuem 218 camadas e são fabricados com o empilhamento de cristais de 120 camadas, baseados na tecnologia BiCS Flash de 5ª geração. No entanto, utilizam uma nova tecnologia de fabricação na camada lógica da implementação da interface. Graças a isso, demonstram um aumento significativo no desempenho em comparação com os produtos BiCS Flash de 6ª geração existentes, com a mesma capacidade de 512 Gbit. Os novos chips:
- Fornecer 61% mais desempenho de gravação;
- 12% maior desempenho de leitura;
- 36% mais eficiência energética em cargas de trabalho de gravação e 27% mais eficiência energética em operações de leitura.
A tecnologia Toggle DDR 6.0 usada neles fornece desempenho de interface NAND de 3,6 Gbps por contato e, graças ao dimensionamento planar, a densidade do chip foi aumentada em 8% em comparação aos produtos da geração anterior.
Além disso, a Kioxia relata que, durante os testes de demonstração, os chips BiCS Flash 512 Gb TLC de 9ª geração conseguiram atingir uma velocidade de interface NAND de 4,8 Gbps. A linha de produtos baseada nessas soluções será determinada pela demanda do mercado.