Weebit ReRAM avança antes do previsto

A empresa israelense Weebit Nano disse que está se aproximando da produção comercial de memória ReRAM (memória resistiva não volátil) antes do previsto em quatro meses. Anteriormente, o objetivo da Weebit era iniciar a produção em massa de memória ReRAM como produtos comerciais em dezembro de 2020. Mesmo que a produção inicie no horário indicado pelos planos anteriores, o avanço do cronograma na fase de preparação ainda permanece um resultado positivo. Se algo der errado, há tempo para corrigir as falhas.

Weebit nano

Weebit chama que o novo estágio passou na confirmação das características das matrizes de memória ReRAM nas bolachas de silício pela equipe combinada de engenheiros israelenses e chineses. As placas de memória ReRAM são produzidas em suas linhas experimentais pelo Instituto Francês CEA-Leti. No verão deste ano, a Weebit assinou um contrato para a produção de ReRAM na fábrica chinesa da empresa local XTX Technology (criada em 2014 em Shenzhen).
Os engenheiros da XTX confirmaram as características da memória ReRAM, tornando-se, de fato, especialistas independentes desses novos dispositivos eletrônicos. Assim, a XTX Technology concordou e reconheceu o benefício de integrar a tecnologia de fabricação ReRAM em seus próprios produtos de marca: memória não volátil para eletrônicos de consumo, plataformas industriais embarcadas, bem como equipamentos de telecomunicações e rede.

Weebit nano

Infelizmente, a Weebit e a tecnologia XTX não revelam detalhes sobre a memória testada. Anteriormente, soube-se que a CEA-Leti produz protótipos Weebit ReRAM em wafers de 200 mm usando uma tecnologia de processo de 40 nm. No entanto, os parceiros garantiram que antes do final deste ano eles lançariam matrizes de memória ReRAM de 28 nm. Essas são matrizes para a memória incorporada; portanto, não a compare com NAND e 3D NAND para SSDs. A memória ReRAM em termos de escala e confiabilidade em termos de desgaste podem substituir o NAND embutido, que está apenas dominando a tecnologia de processo de 28 nm.
Também informamos que, durante o mês passado, a CEA-Leti conseguiu aumentar o nível de produção de chips ReRAM adequados, preparou três novas patentes para a produção de memória resistiva e afirma que apenas uma foto-Máscara será suficiente para integrar matrizes ReRAM no chip SoC, enquanto as matrizes eNAND exigem de 7 a 10 Máscaras fotográficas adicionais.
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