Conforme relatado pela agência coreana Maeil Economy, a Samsung conseguiu criar um protótipo da primeira tecnologia de processo de 3 nm. Ao mesmo tempo, a empresa pretende se tornar a fabricante número um de semicondutores no mundo até 2030. Hoje, a Samsung é uma das líderes na tecnologia de processos de 7 nm com litografia na faixa ultravioleta profunda (EUV).
Os padrões de fabricação de 3 nm são baseados na tecnologia de transistores de canais horizontais com um portão circular (GAAFET), que difere do FinFET padrão da indústria com arranjo de canais verticais. Assim, em vez de uma barbatana, agora é usado um tipo de nanofio. Se antes o obturador cercava o canal em apenas três dos quatro lados, o que levava a um vazamento excessivo de corrente, agora um obturador circular é usado, circundando completamente o canal.
O obturador usa três nanofolhas entre o dreno e a fonte, resultando em uma redução significativa na complexidade da formação de padrões, e o obturador é grande o suficiente para garantir confiabilidade e desempenho. Graças a essa abordagem, o controle sobre o canal é aprimorado, o que é fundamentalmente importante na redução do tamanho do nó. Um projeto de transistor mais eficiente fornece um enorme salto no desempenho por watt em comparação com o processo FinFET de 5 nm.
A otimização da tecnologia em comparação com o processo FinFET de 5 nm promete reduzir o tamanho do cristal em 35% e reduzir o consumo de energia pela metade. E, mantendo o nível de tensão operacional, a produtividade pode ser aumentada em um terço.
Em 2017, a Samsung anunciou que usaria o processo de fabricação GAAFET de 4nm já em 2020. Mas analistas céticos da indústria, incluindo o vice-presidente do Gartner, Samuel Wang, consideraram essa tarefa extremamente ambiciosa e acreditavam que a empresa não seria capaz de produzir em massa chips GAAFET até 2022. No entanto, Wang admitiu recentemente que a Samsung parece poder começar a usar a tecnologia de processo GAAFET antes do que se poderia esperar.
E se a Samsung já possui um protótipo funcional da tecnologia de processo de 3 nm, isso pode indicar que a empresa se aproximou de seu objetivo. No início deste ano, a Samsung anunciou sua intenção de iniciar a produção em massa da tecnologia de processo GAAFET de 3 nm em 2021. A tecnologia superará as limitações de desempenho e escalabilidade do FinFET.
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