Samsung acelera o desenvolvimento da memória NAND 3D de 160 camadas

Nesta semana, a empresa chinesa YMTC anunciou o desenvolvimento de uma memória flash 3D NAND de volume de 128 camadas e registro. Os chineses perderão a fase de produção da memória de 96 camadas e, no final do ano, começarão a produzir imediatamente a memória de 128 camadas. Assim, eles atingirão o nível de líderes da indústria, o que equivale a acenar com um pano vermelho diante dos olhos do boi. E os “touros” reagiram como esperado.

A ETNews, um site sul-coreano, disse hoje que a Samsung acelerou o desenvolvimento do 3D NAND de 160 camadas (ou V-NAND, como a empresa chama de memória flash de várias camadas). Na Samsung, isso é chamado de estratégia de “super liberação” ou jogo preventivo, que deve ajudar os líderes de tecnologia da Coréia do Sul a ficar à frente da concorrência. Como o sucesso da Samsung está no coração da economia sul-coreana, é uma questão de prosperidade para todo um país, então a empresa leva seu trabalho a sério.
A Samsung introduziu memória com mais de 100 camadas em agosto do ano passado. Podemos assumir que a empresa pelo terceiro trimestre consecutivo liberou condicionalmente memória de 128 camadas (o número exato de camadas permanece desconhecido por certo). A memória da Samsung com 160 ou até um grande número de camadas deve aparecer a seguir no palco. Pertence à 7ª geração de memória V-NAND. Segundo rumores, a empresa fez progressos significativos em seu desenvolvimento. Acredita-se que a Samsung tenha sido a primeira a conquistar o marco de 160 camadas, como aconteceu com todas as gerações anteriores de memória 3D NAND.
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