Kioxia prepara drives flash com interface UFS 3.1 de até 1 TB

Uma grande quantidade de memória não volátil e uma interface rápida – o que mais os smartphones ou os eletrônicos dos carros inteligentes precisam? A empresa japonesa Kioxia Corporation reuniu um e outro e introduziu uma nova geração de flash drives de caixa única, amplos e rápidos, com interface UFS 3.1 e até 1 TB.

Unidades flash Kioxia de caixa única com interface UFS 3.1

No total, a nova linha de unidades flash Kioxia de caixa única contém chips de memória com capacidade de 128, 256, 512 GB e uma versão de 1 TB. Mas enquanto a empresa distribui entre os clientes apenas amostras de chips de 256 GB. A empresa começará a distribuir amostras de outros produtos a partir de março. Uma característica importante dos novos produtos foi a adaptação das especificações do UFS 3.1, cuja edição final foi aprovada apenas um mês atrás.
É interessante notar que, embora as especificações do UFS 3.1 não tenham aumentado a velocidade do barramento de dados em comparação com a versão anterior das especificações do UFS 3.0, os novos chips Kioxia fornecem um aumento de 30% no modo de leitura de dados sequenciais. Não há números exatos no comunicado de imprensa, mas, com base nas especificações disponíveis no site, da memória flash com o barramento UFS 3.1, você pode esperar a velocidade máxima de leitura para o padrão teoricamente aceitável ou até 2,9 GB / s para duas linhas de dados.
A velocidade de gravação será obviamente menor. Com base nos dados divulgados pelo parceiro de produção da Western Digital Kioxia, para uma compilação de 256 GB, a velocidade de gravação estabelecida atingirá 800 MB / s.

Unidades flash Western Digital da Western Digital com interface UFS 3.1

Em geral, o Kioxia oferece considerar novas unidades de caso único à luz do suporte às especificações do UFS 3.1, o que aumenta a velocidade de gravação em até três vezes, graças ao novo modo WriteBooster (devido à introdução de um buffer da memória NAND SLC) e também promete melhor eficiência de energia graças ao modo novo e mais profundo UFS-DeepSleep Power Mode em vez do UFS-Sleep Power Mode usado anteriormente.
Por fim, a memória flash com suporte para as novas especificações do UFS 3.1 fornece um modo de cache opcional para os endereços lógicos e físicos da unidade na memória do sistema DRAM (Host Performance Booster ou HPB). Isso agilizará o trabalho com a unidade ao ler blocos aleatórios da memória. Novas especificações também permitem que o controlador de memória informe o host sobre a degradação do desempenho devido ao superaquecimento.
As unidades estão se tornando mais inteligentes, mais rápidas e mais espaçosas. Nos smartphones, aparentemente, esses novos produtos estarão no segundo semestre deste ano.
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