Intel prepara QLC NAND de 144 camadas e desenvolve NAND PLC de cinco bits

Esta manhã, na Coreia do Sul de Seul, a Intel sediou o evento “Memory and Storage Day 2019”, dedicado a planos futuros para o mercado de unidades de memória e de estado sólido. Nele, representantes da empresa falaram sobre os futuros modelos Optane, sobre o progresso no desenvolvimento do PLC NAND de cinco bits (Penta Level Cell) e sobre outras tecnologias promissoras que ele pretende promover nos próximos anos. A Intel também falou sobre seu desejo, a longo prazo, de introduzir RAM não volátil em computadores desktop e sobre novos modelos de SSDs familiares para esse segmento.

A parte mais inesperada da apresentação dos desenvolvimentos em andamento pela Intel foi a história do PLC NAND – um tipo ainda mais denso de memória flash. A empresa enfatiza que, nos últimos dois anos, a quantidade total de dados produzidos no mundo dobrou; portanto, as unidades baseadas no QLC NAND de quatro bits não parecem mais uma boa solução para esse problema – o setor precisa de algumas opções com maior densidade de armazenamento de informações. A saída deve ser uma memória flash Penta-Level Cell (PLC), em cada célula da qual cinco bits de dados são armazenados ao mesmo tempo. Assim, a hierarquia de tipos de memória flash em breve se parecerá com SLC-MLC-TLC-QLC-PLC. O novo PLC NAND poderá armazenar cinco vezes mais dados em comparação com o SLC, mas, é claro, com menos desempenho e confiabilidade, porque, para escrever e ler cinco bits, o controlador precisará distinguir entre 32 estados diferentes de carga da célula.

Vale a pena notar que a Intel em sua busca para tornar a memória flash ainda mais densa não está sozinha. A Toshiba também falou sobre planos para criar o PCL NAND durante o Flash Memory Summit em agosto. No entanto, a tecnologia Intel tem diferenças significativas: a empresa usa células de memória de porta flutuante, enquanto os projetos da Toshiba são construídos em torno de células com base em uma armadilha de carga. Um portão flutuante com um aumento na densidade do armazenamento de informações parece ser a melhor solução, pois minimiza a influência mútua e o fluxo de cargas nas células e possibilita a leitura de dados com menos erros. Em outras palavras, o design da Intel é mais adequado para aumentar a densidade, conforme evidenciado pelos resultados dos testes do QLC NAND disponível no mercado, fabricado com diferentes tecnologias. Tais testes mostram que a degradação dos dados nas células de memória QLC construídas com base em um obturador flutuante é duas a três vezes mais lenta que nas células QLC NAND com uma armadilha de carga.

Nesse contexto, as informações que a Micron decidiu compartilhar seus projetos de memória flash com a Intel, inclusive por causa do desejo de mudar para o uso de células com uma armadilha de carga, parecem bastante curiosas. A Intel, no entanto, permanece comprometida com a tecnologia original e a implementa sistematicamente em todas as novas soluções.
Além do PLC NAND, que ainda está em desenvolvimento, a Intel pretende aumentar a densidade de armazenamento de informações na memória flash usando outras tecnologias mais acessíveis. Em particular, a empresa confirmou a transição iminente para a produção em massa do QLC 3D NAND de 96 camadas: será usado no novo drive de consumidor Intel SSD 665p.

Em seguida, o desenvolvimento do QLC 3D NAND de 144 camadas seguirá – ele entrará em unidades de produção no próximo ano. É curioso que, ao mesmo tempo, a Intel negue a intenção de usar uma “solda” tripla de cristais monolíticos, portanto, enquanto o design de 96 camadas envolve a montagem vertical de dois cristais de 48 camadas, a tecnologia 144, aparentemente, será baseada em 72 camadas ” produtos semi-acabados. “
Juntamente com o aumento no número de camadas nos cristais QLC 3D NAND, os desenvolvedores da Intel ainda não pretendem aumentar a capacidade dos próprios cristais. Com base nas tecnologias de 96 e 144 camadas, os mesmos cristais de terabit serão produzidos como o QLC 3D NAND de 64 camadas de primeira geração. Isso se deve ao desejo de fornecer um SSD com base nele com um nível de desempenho aceitável. Os primeiros SSDs a usar memória de 144 camadas serão as unidades de servidor Arbordale +.
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