GlobalFoundries e Universidade de Cingapura desenvolvem ReRAM

A GlobalFoundries concordou amigavelmente com a TSMC para fechar todas as reivindicações de patentes e agora pode facilmente olhar para o futuro. Por exemplo, para a produção de chips com memória ReRAM incorporada. Este é um candidato digno para substituir a memória flash NAND tradicional. A memória ReRAM é mais rápida que a NAND, é muito mais resistente ao desgaste, não requer uma operação de apagamento preliminar e promete uma redução adicional na escala dos padrões tecnológicos de produção, o que não se pode dizer sobre a NAND. A única vantagem da memória NAND é que ela pode ser produzida com muito custo e baixo custo, o que pode ser considerado apenas uma vantagem temporária.

Exemplo de célula condicional ReRAM

Como sugerem nossos colegas do site da AnandTech, a GlobalFoundries firmou um acordo de parceria com a Universidade Tecnológica Nanyang de Cingapura e a Fundação Nacional de Pesquisa de Cingapura, para desenvolver a tecnologia ReRAM para a produção industrial de memória ReRAM. O Fundo NRF está comprometido em pagar pelo trabalho da equipe da universidade por este projeto por quatro anos. O valor do contrato atinge o equivalente a US $ 88 milhões. A empresa GlobalFoundries, por sua vez, criará, com base no desenvolvimento, um processo técnico para a introdução industrial da tecnologia de produção ReRAM.
O contrato de licenciamento cruzado com a TSMC mencionado acima será útil à luz da GlobalFoundries recorrendo à ReRAM. Nos últimos anos, um empreiteiro de Taiwan esteve envolvido ativamente no desenvolvimento de um processo técnico para o lançamento do ReRAM incorporado. Pode-se esperar que no acordo de 10 anos recém-concluído sobre licenciamento cruzado de patentes, ambas as partes levaram em consideração essa direção.

Uma variedade de planos da GlobalFoundries para operar diferentes tipos de memória não volátil

Ao mesmo tempo, a memória ReRAM não é uma direção exclusiva para a GlobalFoundries encontrar um substituto para o NAND. O fabricante conseguiu levar a memória magnetoresistiva (MRAM) à produção em massa e está se preparando para liberar blocos dessa memória incorporada. Mas o MRAM tem desvantagens que o ReRAM não possui. O MRAM tem medo de baixas temperaturas de operação e sofre de baixa densidade de gravação. Por essas e outras razões, ainda não se tornou massa, mas se será ou não – depende da percepção dos cientistas.
.