A WD acredita que novos tipos de memória não substituirão DRAM ou NAND

Recentemente, muitos têm falado sobre SCM (Storage Type Storage Class). É mais rápido que a memória flash tradicional, mas mais lento que a DRAM. Várias tecnologias reivindicam o papel do SCM: 3D XPoint, PCM, MRAM, FeRAM, STT-RAM e outros.
A Western Digital, um dos maiores fornecedores de discos rígidos e flash drives, acredita que novos tipos de memória exóticos não substituirão os dispositivos DRAM ou NAND no futuro próximo.

A pirâmide de dispositivos de armazenamento. Segundo alguns analistas, o SCM ocupará um lugar no meio

Alguns analistas acreditam que o SCM é capaz de substituir as unidades flash e RAM, combinando suas principais vantagens – alta velocidade e independência de energia. No entanto, o vice-presidente de tecnologia da memória da Western Digital, Siva Sivaram, disse em uma entrevista à Blocks & Files que essa síntese não aconteceria. “O futuro da NAND é a NAND, o futuro da DRAM é a DRAM”, ele respondeu à pergunta, acrescentando que simplesmente não existe um mercado amplo para a memória SCM.

Acelerador NvNITRO: STT-MRAM: mais de 1,5 milhão de IOPS em qualquer modo, mas apenas 1 GB de capacidade

Atualmente, o mercado de memória SCM é fragmentado e é um conjunto de pequenos nichos especializados em que unidades exóticas realmente encontram sua aplicação. Além disso, cada nicho é “aguçado” por seu tipo único de SCM, com suas características especiais.
Você pode confiar no representante da WD: a empresa monitora cuidadosamente o desenvolvimento de várias tecnologias SCM, possui patentes para XPoint e 3D XPoint e criou os primeiros dispositivos baseados nessa tecnologia em 2004. Mesmo assim, a WD conseguiu ganhar cerca de US $ 400 milhões no fornecimento de dispositivos SCM.

Características comparativas de diferentes tipos de memória SCM

A entrevista também abordou o destino do QLC NAND. Segundo Shivaram, o TLC está chegando ao seu limite. À medida que a tecnologia envelhecia, as características dos dispositivos TLC se tornaram melhores (e isso é verdade, lembre-se de nossa análise do Samsung 970 EVO Plus), mas o mercado está ansioso para aumentar ainda mais a densidade de armazenamento e reduzir o preço unitário de um gigabyte. O QLC tem suas desvantagens, que, de acordo com a WD, podem ser neutralizadas usando controladores avançados. Dizia-se que a era do QLC começa com a introdução de tecnologias para produzir chips 3D NAND com mais de 100 camadas.

Os controladores da próxima geração serão capazes de neutralizar o baixo recurso PAND NAND?

Quanto à memória hipotética de cinco níveis (PLC), envolve o uso de 32 níveis de tensão de programação por célula. Essa memória não só será significativamente mais lenta que até um QLC, que não mostra nenhum indicador de velocidade, mas o recurso do CLP cairá para inaceitavelmente baixo com o atual nível de tecnologia.
O tempo do PLC será de 2 a 3 anos, quando o progresso do QLC deixará de pagar dividendos. Mas, de acordo com Shiva Shivaram, a essa altura já haverá novos controladores “inteligentes” com algoritmos de aprendizado de máquina que podem neutralizar as desvantagens do PLC na extensão correta. O ciclo de transição do QLC para o próprio PLC será semelhante ao observado agora com o TLC e o QLC.
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