A SK Hynix está se preparando para a produção de memória DDR4 na terceira geração da tecnologia de processo de 10 nm

Mesmo em condições de baixos preços de memória, os fabricantes não deixam de dominar novos processos tecnológicos, pois permitem reduzir seus próprios custos. Em agosto, a Micron anunciou o início da produção em massa de chips de memória DDR4 de 16 gigabits usando a terceira geração da tecnologia de processo de classe de 10 nm – o chamado “1z nm”. A Samsung possui uma memória disponível apenas em chips de 8 gigabit. Nesta semana, o SK Hynix admitiu superar o marco.

Fonte da imagem: SK Hynix

O fabricante sul-coreano em um comunicado à imprensa relata que concluiu o desenvolvimento da tecnologia de classe 1z nm para o lançamento de chips de memória DDR4 de 16 Gbit. A densidade de memória em uma pastilha de silício em comparação com a geração anterior da tecnologia de processo aumentou 27%, e isso afetará positivamente o custo dessa memória. SK Hynix enfatiza que a litografia com radiação ultravioleta super dura (EUV) não é necessária para liberar memória usando a tecnologia de processo de 1z nm. A Micron também é oponente à introdução iminente do EUV na produção de memória, embora não exclua a possibilidade de adotar essa tecnologia em um determinado estágio.
A SK Hynix está pronta para fornecer sua nova memória a partir do próximo ano, na faixa de até DDR4-3200 inclusive. Como é o caso dos produtos Micron, a atualização do processo nos permitiu reduzir o consumo de energia em 40% em comparação com o chip DDR4 de 8 gigabytes da geração anterior. O fabricante coreano conseguiu usar alguma substância nova na produção de chips de memória que melhora as características capacitivas da memória. Além disso, algumas alterações foram introduzidas para aumentar a estabilidade da memória.
Com o tempo, os chips de memória LPDDR5 e HBM2E, que por algum motivo a SK Hynix prefere designar como “HBM3”, também passarão para um novo estágio da litografia. Segundo o fabricante coreano, o LPDDR5 se tornará uma nova geração de memória para uso em dispositivos móveis.
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