O ano de 2019 passado não foi o mais fácil para os fabricantes de memória, pois eles perderam muito em receita, portanto as dificuldades do ano atual não os assustarão. Os fabricantes de memória decidiram antecipadamente limitar o número de pastilhas de silício processadas, mas estão prontas para atender à crescente demanda aumentando a densidade dos transistores.
Fonte da imagem: TechCrunch
Como a chamada “lei de Moore”, que prescreve um aumento regular no número de transistores colocados em um milímetro quadrado, ainda está em vigor, os fabricantes de memória estão prontos para usá-la para seu próprio benefício. De acordo com a Business Korea, no ano passado, a Samsung Electronics manteve o número de pastilhas de silício adquiridas no nível de 2018, mas, ao mesmo tempo, a produção bruta em termos de unidades de volume de armazenamento aumentou 39%. Isso foi alcançado através da introdução de layouts espaciais e da transição para tecnologias litográficas mais avançadas.
Se falamos de chips de RAM, a Samsung continua migrando da tecnologia de processo de 10 nm da primeira geração para a terceira geração da mesma tecnologia de processo. Relativamente falando, todos os estágios da litografia de 19 nm a 10 nm pertencem à classe de 10 nm. A transição de uma geração da tecnologia de processo para outra permite obter de 20 a 30% mais chips de memória de uma pastilha de silício de uma área fixa. Bem, e a transição da primeira geração da tecnologia de processo de 10 nm para a quarta, que já implica o uso de litografia com radiação ultravioleta ultra dura (EUV), permite dobrar a saída do microcircuito a partir de uma área unitária de uma pastilha de silicone.
Memória de estado sólido Samsung tipo 3D NAND mudou para layout de 128 camadas no final do ano passado, a gigante coreana estava à frente de todos os concorrentes. Além disso, a Samsung executou pilhas de memória com o número de camadas de até 200 peças, podendo ser monolítica, enquanto concorrentes no exterior de cem camadas começam a usar pilhas compostas, o que aumenta o custo de produção de memória. A empresa já começou a desenvolver um tipo de memória de 160 camadas 3D NAND. Este ano, ela espera aumentar a produção bruta de memória de estado sólido em 30%, satisfeita com as capacidades de produção disponíveis.
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