A Samsung descobriu como reduzir o preço de conjuntos multi-chip com um substrato intermediário

Os especialistas da Samsung, juntamente com colegas da Amkor Technology, apresentaram a tecnologia H-Cube para reduzir o custo de montagens 2.5D multi-chip. A necessidade de combinar vários SoCs e memória em um substrato é ditada pela necessidade de aumentar o desempenho sem mudar para novos processos técnicos. Porém, quanto mais cristais, maior a área do interposer extremamente caro e mais cara a solução. A Samsung descobriu onde você pode salvar.

Fonte da imagem: Samsung

A tecnologia H-Cube pressupõe o uso de um substrato adicional com uma distância de contato relativamente ampla para instalação em uma placa de circuito (placa-mãe, etc.). Na terminologia da Samsung, é um substrato HDI (High-Density Interconnection). Tal substrato intermediário é relativamente barato e pode ser bastante grande sem aumentar significativamente o custo do futuro chip (montagem 2.5D).

Todos os substratos a montante – isto é, um substrato com um pequeno passo de contato para instalar o mediador e o próprio mediador podem ser feitos ainda menores para maior compactação. Para isso, por exemplo, a Samsung reduziu o pitch do contato intermediário em 35%. Isso também permitirá que mais chips sejam instalados no mediador. Em particular, a tecnologia H-Cube proposta pela Samsung permite a colocação de um processador (lógico) e seis chips de memória HBM em um interposer.

Fonte da imagem: Samsung

«No ambiente atual, onde a integração do sistema está se tornando cada vez mais necessária e os suprimentos de substrato são limitados, a Samsung Foundry e a Amkor Technology desenvolveram com sucesso o H-Cube para superar esses desafios ”, disse Jin Yong Kim, vice-presidente sênior do centro global de pesquisa e desenvolvimento Amkor Technology . “Este desenvolvimento reduz as barreiras de entrada no mercado de HPC / AI e demonstra uma colaboração e parceria bem-sucedidas entre uma fábrica de semicondutores e uma empresa terceirizada de montagem e teste de semicondutores (OSAT).”