A memória ReRAM foi lançada usando uma tecnologia de processo de 22 nm – nunca houve um memristor tão pequeno

A empresa israelense Weebit Nano anunciou o lançamento de um chip de demonstração com uma unidade de memória ReRAM integrada. O chip é fabricado com tecnologia de processo de 22 nm, que se tornou um recorde na redução da tecnologia de processo para a produção de memória flash para aplicativos embarcados – controladores e chips semelhantes. A solução foi lançada em wafers FD-SOI pelo instituto francês CEA-Leti e está pronta para testes de qualificação, mas não houve clientes para a tecnologia, e não.

Uma representação condicional de uma célula de memória Weebit Nano ReRAM. Fonte da imagem: Weebit Nano

Segundo o desenvolvedor, a tecnologia de processo de 22 nm é considerada a mais comum no mundo, enquanto ninguém produz blocos de memória flash embutidos nessa tecnologia de processo, pelo menos não em série. De fato, a Samsung adaptou a produção de memória eMRAM incorporada à produção em wafers FD-SOI com padrões tecnológicos de 28 nm. Com os mesmos padrões, os controladores com eMRAM Everspin são produzidos nas linhas da GlobalFoundries.

Uma empresa da Intel introduziu um chip experimental de 22 nm com um bloco eMRAM, mas logo abandonou completamente o desenvolvimento e a produção de memória flash em todas as suas manifestações.

Enfatizamos que estamos falando de tipos promissores de memória não volátil, cujo dimensionamento adicional ainda está em questão. Ao mesmo tempo, essa memória, e ReRAM em particular, promete um número condicionalmente infinito de ciclos de reescrita, necessários para periféricos inteligentes de sensores a IA. Também está incluída no conjunto de propriedades importantes a resistência a flutuações nas condições ambientais, radiação e muitas outras interferências, sem falar na maior eficiência e desempenho energético.

O novo controlador de teste com bloco de memória Weebit Nano contém todos os blocos necessários para testar o desempenho de todos os subsistemas do chip. O array ReRAM embutido no controlador tem uma capacidade de 8 Mbit. O controlador inclui lógica de controle baseada na arquitetura RISC-V, decodificadores, elementos de E/S e uma unidade de execução de código de correção de erro (ECC).

Em abril do ano passado, um chip de teste semelhante foi lançado usando uma tecnologia de processo de 28nm. Agora a empresa deu o próximo passo. Infelizmente, nada se sabe sobre os clientes de desenvolvimento, se houver. O Weebit Nano havia prometido anteriormente iniciar a produção em clientes na China e na Coreia do Sul, mas nada disso foi confirmado.