A Samsung conseguiu concordar com o fornecimento de HBM3E para a NVIDIA, mas apenas em um desempenho de 8 camadas

Sendo o maior fornecedor de memória em geral, a Samsung Electronics ainda não adotou uma participação ativa no fornecimento de nvidia com aceleradores do tipo HBM3E. Com o envio da Bloomberg hoje, ficou-se conhecido que em dezembro a memória HBM3E de 8 camadas foi certificada pela Nvidia, mas a última será usada apenas em aceleradores para o mercado chinês.

Fonte da imagem: Samsung Electronics

Acrescentamos que um avançado entre os produtos massivamente fornecido agora é considerado uma memória de 12 camadas do HBM3E, é formalmente oferecida pelos três participantes do mercado: SK Hynix, Micron e Samsung. Este último, no entanto, há muito tempo pode certificar seu HBM3E de 12 camadas para uso nos aceleradores da NVIDIA, embora ainda não tenha esperança de fazer isso. O SK Hynix concorrente já fornece à NVIDIA os avançados chips HBM3E de 12 camadas de sua própria produção. Ambos os fabricantes de memória coreana esperam estabelecer suprimentos de massa de chips HBM4 no segundo semestre deste ano e, posteriormente, receber ordens da NVIDIA para esse tipo de produto.

As limitações do escopo de uso da Samsung HBM3E da NVIDIA sugerem que esse fornecedor ainda não pode satisfazer completamente as solicitações do desenvolvedor American Accelerator para sistemas de inteligência artificial. Aparentemente, a NVIDIA ainda não pode usar a memória HBM3E dessa marca coreana em seus aceleradores avançados da geração de Blackwell e será limitada ao uso da família Hopper como parte dos aceleradores, que até agora podem ser entregues à China com algumas reservas. Se as sanções dos EUA nessa direção forem fortalecidas, a Samsung perderá temporariamente a oportunidade de cooperar com a Nvidia.