A empresa americana NEO Semiconductor anunciou a demonstração iminente de três novas tecnologias para produzir a melhor memória DRAM do mundo: superdensa, super-rápida e até ligeiramente não volátil. A nova solução 3D DRAM foi introduzida pela primeira vez em agosto de 2023 e, desde então, evoluiu para três versões diferentes da tecnologia, embora os fabricantes de memória de classe mundial ainda estejam ignorando esse desenvolvimento revolucionário.
Fonte da imagem: NEO Semiconductor
A NEO Semiconductor apostou no posicionamento vertical de células de memória DRAM, o que foi implementado na produção de memória NAND 3D. Obviamente, isso aumentará significativamente a densidade de armazenamento de dados na RAM. O desenvolvedor está falando sobre chips DRAM com densidade de 512 Gbit — mais de 10 vezes mais do que os chips de memória produzidos em massa atualmente. Além disso, aumentar a densidade da memória leva a uma redução relativa no consumo de energia, o que em condições de escassez de energia é tão importante quanto aumentar o número de bancos de memória.
Na feira IEEE 2025 em Monterey, Califórnia, EUA, de 18 a 21 de maio de 2025, a NEO Semiconductor apresentará três novas arquiteturas de células DRAM otimizadas para fabricação empilhada: células 1T1C, 3T0C e 1T0C. Além disso, todos eles ou alguns deles usam material IGZO para canais de transistores, o que é conhecido por nós na produção de transistores de película fina para displays de alta resolução e baixo consumo de energia.
Os materiais IGZO, ou compostos de óxido de índio, gálio e zinco, são a especialidade da Sharp. Neste material, os elétrons têm maior mobilidade sem aumentar as correntes de operação. Logicamente, a RAM com transistores IGZO herdará essas qualidades, dando ao mundo memória com melhores características de desempenho e consumo de energia. Combinado com a arquitetura multicamadas, isso poderia revolucionar o mundo da RAM se a Samsung, a SK Hynix ou alguém assim finalmente se interessasse pela tecnologia.
Acrescentemos que, como decorre da designação da arquitetura da célula, a célula 1T1C é uma DRAM clássica com um transistor e um capacitor; A célula 1T0C consiste em um transistor sem capacitor; e a célula 3T0C é composta por três transistores sem capacitor. A empresa diz que as células 1T1C e 3T0C são capazes de reter dados sem energia por 450 segundos, o que reduzirá o consumo durante a regeneração. A velocidade de acesso atinge 10 ns. Mas esses são todos dados calculados, e cópias da nova memória devem ser lançadas pela primeira vez somente em 2026. Estamos aguardando. O mundo precisa mais do que nunca de DRAM de alta densidade e baixo consumo de energia.