A Samsung anunciou a expansão de sua parceria estratégica com a empresa americana Advanced Micro Devices (AMD) no desenvolvimento de tecnologia avançada de fabricação de chips de 3 nanômetros. Usando laços mais estreitos com a AMD, a Samsung pretende ultrapassar seu principal rival, o fabricante contratado de semicondutores TSMC.
Esta parceria permitirá que as empresas unam forças no desenvolvimento de soluções inovadoras para a produção de chips de próxima geração que serão utilizados em sistemas computacionais de alto desempenho, data centers, smartphones e outros dispositivos eletrônicos.
De acordo com a agência de notícias coreana KED Globall, como parte do acordo, a Samsung, o maior fabricante mundial de chips de memória, terá acesso aos desenvolvimentos avançados de arquitetura de chips da AMD, e a AMD, que por sua vez desenvolve microprocessadores e processadores gráficos, poderá se beneficiar da capacidade de fabricação de chips da Samsung usando a mais recente tecnologia de transistor Gate-All-Around (GAA) de 3 nm.
Essa tecnologia possibilita a criação de chips com densidades recordes de transistores e características de desempenho aprimoradas. Em comparação com a geração anterior de chips de 5 nm, os chips GAA de 3 nm proporcionam um aumento de desempenho de 30%, uma redução de 50% no consumo de energia e uma redução de 45% na área do chip. Atualmente, a Samsung é a única fabricante no mundo que já lançou o processo GAA de 3nm em produção comercial, à frente de sua principal concorrente, a empresa taiwanesa TSMC.
A expansão da cooperação com a AMD permitirá à Samsung aumentar sua participação no mercado de fabricação de chips por contrato e fechar a lacuna com a TSMC. Sabe-se que a Samsung controla atualmente cerca de 17% deste mercado, e a TSMC – mais de 50%. No futuro, a Samsung planeia iniciar a produção em massa de chips de 2 nm baseados na tecnologia GAA em 2025, o que lhe permitirá fortalecer a sua liderança no campo da tecnologia de semicondutores.
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