Chefe da Intel confiante na capacidade da empresa de acelerar a lei de Moore nos próximos dez anos

De volta à conferência de relatórios trimestrais, o CEO da Intel, Patrick Gelsinger, referiu-se à prontidão da empresa em dominar cinco novos processos técnicos em quatro anos e, no meio da década, contornar os concorrentes. No evento de ontem, em parte programado para coincidir com o anúncio dos processadores Alder Lake, ele falou da capacidade da Intel não apenas de retornar a Lei de Moore ao seu curso anterior, mas também de acelerar sua ação.

Fonte da imagem: PCWorld

Lembre-se de que a lei de Moore é entendida como uma regra prática, formulada no final dos anos 60 por um dos fundadores da Intel Corporation Gordon Moore (Gordon Moore). Essa regra estabelece que a densidade dos transistores por unidade de área do cristal de um componente semicondutor dobra a cada um ano e meio a dois anos. Em 2015, a então liderança da Intel, representada por Brian Krzanich, teve que admitir que a Lei de Moore estava desacelerando, e agora é considerada a norma dobrar a densidade dos transistores a cada dois anos e meio.

Patrick Gelsinger agora afirma que “a Lei de Moore está viva e bem”. De acordo com o atual chefe da Intel, nos próximos dez anos a empresa não apenas cumprirá essa regra, mas também acelerará sua implementação. “Vamos até dobrar a curva, fazendo com que (a densidade dos transistores) dobre mais rápido do que a cada dois anos. E não descansaremos até examinarmos toda a tabela periódica dos elementos. Nós, como agentes da Lei de Moore, buscaremos incansavelmente o caminho da inovação na mágica do silício ”, disse Patrick Gelsinger esta semana.

Essa confiança é baseada em várias inovações. Em primeiro lugar, em meados desta década, a Intel espera dominar a litografia ultravioleta ultravioleta com um alto valor de abertura numérica (High NA EUV). A ASML será a primeira a fornecer o equipamento litográfico de próxima geração para a Intel. Em segundo lugar, a empresa espera mudar para uma nova estrutura de transistor, RibbonFETs, e um layout PowerVia com fiação de alimentação na parte de trás da matriz. Por fim, segundo Gelsinger, o papel da disposição progressiva dos próprios cristais na embalagem do chip não deve ser subestimado. A tecnologia Foveros Omni permite que você cresça cristais em camadas uma acima da outra, aumentando a densidade resultante de transistores por unidade de área.

O chefe da Intel também está convencido de que nenhum dos concorrentes será capaz de se mover nesse ritmo, e a empresa terá uma “vantagem confortável” sobre todos os outros participantes do setor. Tal esforço exigirá enormes investimentos, e nem todos os investidores compartilham do otimismo da liderança atual da Intel. De qualquer forma, os próximos dois ou três anos terão que se conformar com a queda da taxa de retorno.