A Intel foi uma das primeiras empresas a receber os scanners de litografia EUV de alta NA da ASML, que permitem a produção de chips com espessura inferior a 2 nm. Embora esses sistemas fossem de primeira geração, adequados principalmente para experimentos, o Twinscan EXE:5200B, um scanner que será usado na produção em série de chips, concluiu recentemente os testes de aceitação.
Fonte da imagem: Intel
O novo sistema ostenta a alta resolução comprovada em seu antecessor (Twinscan EXE:5000), mas sua capacidade de processamento de wafers de silício foi aumentada para 175 wafers por hora, e a precisão de deposição de camadas foi aprimorada para 0,7 nanômetros. O equipamento de litografia EUV de alta NA da ASML vem sendo testado pela Intel desde 2023, mas o Twinscan EXE:5200B oferece diversas vantagens em relação aos sistemas anteriores.
Uma fonte de laser mais potente produz projeções de maior contraste com contornos mais nítidos dos futuros transistores. Um novo design de suporte de wafer leva em consideração as especificidades do processo de processamento do wafer, aumentando a produtividade na produção em alto volume. O aumento da precisão de deposição foi alcançado por meio de calibração aprimorada do sensor, estabilidade da base e isolamento de influências ambientais.
O equipamento de nova geração reduz o número de etapas necessárias para a fabricação de chips avançados, diminui os custos de ferramentas e aumenta a produtividade da linha. Naturalmente, as taxas de defeito devem atingir níveis aceitáveis mais rapidamente do que com o equipamento da geração anterior.
Aliás, representantes da Intel relataram avanços na introdução de novos materiais para a produção de chips com transistores minúsculos. Segundo eles, os dicalcogenetos de metais de transição possibilitam a criação de estruturas do tamanho de alguns átomos de silício sem perder as propriedades físicas necessárias. A Intel está colaborando ativamente com outras empresas para aprimorar os materiais 2D.O Imec é uma organização de pesquisa europeia líder. Os parceiros estão fazendo progressos significativos no desenvolvimento de novos materiais viáveis para produção em massa em wafers de silício de 300 mm.
Por sua vez, a ASML planeja iniciar o fornecimento em massa de equipamentos EUV de alta NA até 2027, mas para atingir esse objetivo, a empresa precisará colaborar estreitamente com seus clientes nessa área já no próximo ano. Na próxima década, a ASML oferecerá a tecnologia Hyper-NA, que promete uma escalabilidade ainda mais eficiente dos transistores na superfície do chip e mantém taxas aceitáveis de crescimento de desempenho para componentes semicondutores.