A Intel descreve dois caminhos de produção para chips de 14 angstroms – com High-NA e um sobressalente com Low-NA

Durante a conferência Foundry Direct 2025, a Intel apresentou sua estratégia para usar litografia EUV de alta NA em sua próxima tecnologia de processo 14A. Embora a empresa esteja promovendo ativamente a implementação dessa tecnologia, uma decisão final sobre seu uso na produção em série ainda não foi tomada. Em vez disso, a Intel desenvolveu um plano de backup que envolve o uso de litografia EUV Low-NA padrão para o processo 14A. Ambas as opções não exigirão modificações nos designs dos chips pelos clientes, disseram representantes da empresa.

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Enquanto isso, uma segunda máquina EUV High-NA, a ASML Twinscan NXE:5000, avaliada em cerca de US$ 400 milhões, já foi instalada na fábrica da Intel em Oregon, mas ainda não está em uso de produção devido ao seu desenvolvimento contínuo. Por isso, a empresa evita implementações prematuras, minimizando riscos tecnológicos. O vice-presidente executivo, diretor de tecnologia e chefe de Tecnologia de Fundição e Fabricação da Intel, Dr. Naga Chandrasekaran, enfatizou que o desempenho de fabricação da High-NA está de acordo com as expectativas e que a empresa implementará a tecnologia quando considerar apropriado.

O Dr. Chandrasekaran disse que a Intel já tem dados dos processos 14A e 18A mostrando paridade de rendimento entre soluções EUV de baixa NA e EUV de alta NA. Segundo ele, a empresa continua aprimorando tecnicamente ambas as áreas e garante a disponibilidade de rotas alternativas para que a solução escolhida minimize os riscos para os clientes e garanta o melhor resultado em termos de objetivos estratégicos.

A empresa planeja usar EUV High-NA apenas para um número limitado de camadas dentro da tecnologia de processo 14A, e o número exato não foi divulgado. Para os níveis restantes, outros sistemas de litografia serão usados, incluindo Low-NA EUV. De acordo com a Intel, usar exposição tripla com Low-NA em vez de High-NA fornece resultados comparáveis, e ambas as rotas são compatíveis de acordo com as regras de design. Isso garante que os clientes não precisem fazer alterações em seus designs, independentemente da estratégia de produção escolhida.

Segundo a empresa, a paridade de rendimento entre as duas abordagens é alcançada graças aos avanços nas modernas tecnologias de exposição múltipla, particularmente na área de empilhamento de camadas. Durante a fase de desenvolvimento, aproximadamente 30.000 wafers de silício foram produzidos usando High-NA. Para atingir a densidade de padrão necessária usando Low-NA, são necessárias três exposições consecutivas e até 40 etapas de processamento, enquanto High-NA fornece a etapa necessária em uma única exposição. Dessa forma, o percurso com High-NA se torna mais curto e simples. Isso também abre a possibilidade de reduzir a densidade das camadas metálicas, o que pode levar a ganhos de desempenho.

A Intel não especificou se suas estimativas comparativas foram baseadas em resultados da exposição de matrizes de tamanho de retículo completo (a fotomáscara usada em litografia de projeção para formar uma imagem de um chip na superfície de uma pastilha de silício). Os sistemas EUV de alta NA em sua configuração atual só conseguem expor metade do retículo em uma única passagem, portanto, formar um processador do tamanho de todo o retículo requer duas passagens seguidas de registro preciso da imagem. Nos casos em que a área do cristal não excede a metade do retículo, o High-NA permite a exposição de passagem única sem a necessidade de alinhamento. Em contraste, as máquinas EUV de baixa NA são capazes de expor um cristal do tamanho de um retículo inteiro em uma única passagem.