Até agora, a Nvidia tem sido moderadamente conservadora na escolha dos processos de fabricação de seus chips de ponta. Especificamente, sua família de chips Blackwell é atualmente fabricada usando um processo de 4 nm (4NP), embora a TSMC comece a enviar produtos de 2 nm este ano. No entanto, com o processo A16, a Nvidia corre o risco de se tornar a primeira cliente da TSMC.
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Pelo menos, essa é a opinião do veículo sul-coreano EBN News, citando comentários de diversas fontes da indústria americana. Atualmente, de acordo com essas fontes, apenas a Nvidia está considerando usar a tecnologia de processo A16 da TSMC em seus chips. Ambas as empresas já começaram a testar o processo em estágio experimental inicial. A TSMC deve começar a produzir chips A16 para a Nvidia em 2027, se tudo correr conforme o planejado.
Essa mesma fonte enfatizou que, contrariando a tradição de longa data, a Apple ainda não está envolvida em tais negociações com a TSMC. Historicamente, a Apple busca ser a primeira a acessar os processos avançados da TSMC e garantir as cotas necessárias para o fornecimento das quantidades necessárias. Com sua tecnologia A16, a TSMC planeja ser pioneira no uso de fornecimento de energia pela parte traseira — uma tecnologia que a Intel também planeja usar em processos concorrentes. A Samsung também está interessada nessa inovação, que visa aumentar a eficiência energética dos chips e melhorar a dissipação térmica.
A Nvidia planeja lançar GPUs da geração Feynman em 2028, e elas provavelmente serão produzidas em massa usando a tecnologia de processo A16 da TSMC. O uso da tecnologia de processo avançada da TSMC certamente aumentará os custos da Nvidia, mas, enquanto a demanda por seus produtos de IA exceder a oferta, ela poderá compensar isso com preços altos. No próximo ano, a TSMC começará a produzir chips da geração Rubin usando tecnologia de 3 nm para a Nvidia.De acordo com os cálculos preliminares da TSMC, a tecnologia de processo A16 proporcionará um aumento de 8 a 10% na velocidade de comutação do transistor com a mesma tensão, ou uma redução de 15 a 20% no consumo de energia com a mesma velocidade, e a densidade do transistor será aumentada em 10%.