Pesquisadores dos Estados Unidos propuseram uma célula de memória que registra dados devido ao deslocamento mecânico de camadas de metal com uma espessura de três átomos. Essa célula de memória promete a maior densidade de gravação e requer um mínimo de energia para sua implementação.
O desenvolvimento foi relatado por um grupo conjunto de cientistas do laboratório SLAC da Universidade de Stanford, da Universidade da Califórnia em Berkeley e da Universidade do Texas A&M. Dados publicados na revista Nature Physics.
Os cientistas realizaram uma série de experimentos com pilhas de metal 2D chamado ditelluride de tungstênio. A espessura de cada camada de metal 2D na pilha era de três átomos, o que promete a aparência de um registro muito denso em comparação com as células de memória feitas de silício. As experiências revelaram que uma pequena porção da energia aplicada à pilha causa o deslizamento (deslocamento) de cada camada ímpar na pilha de camadas. Isso acontece tão rapidamente que a descoberta pode levar à criação de uma memória de computador extremamente produtiva na qual as informações podem ser armazenadas sem suporte de energia (não volátil).
As informações são registradas (zero ou um) no processo de deslocamento da camada de metal na pilha. O deslocamento da camada causa mudanças no movimento dos elétrons nas camadas superior e inferior dos metais 2D em relação à camada deslocada. Para ler essas informações, os cientistas propõem o uso de um efeito quântico chamado curvatura de Berry. Este é o fluxo magnético gerado dentro do material, que ocorre quando partículas carregadas se movem dentro da estrutura cristalina.
A julgar pela descrição do experimento, a memória em camadas de cisalhamento em pilhas de metal 2D é uma perspectiva muito, muito distante. Mas a perspectiva é muito tentadora, que promete acelerar a gravação de dados 100 vezes para armazenamento a longo prazo. Dessa forma, muitos experimentos precisam ser feitos e a melhor combinação de materiais a ser selecionada.