GlobalFoundries receberá US$ 117 milhões do Pentágono por chips de defesa de 45nm

No ano passado, a GlobalFoundries assinou um contrato com o Departamento de Defesa dos EUA para produzir chips para projetos aeroespaciais e de defesa. As partes assinaram hoje um acordo de US$ 117 milhões sob o qual os produtos de 45 nm da GlobalFoundries em substratos SOI começarão a ser enviados em 2023. Os chips serão fabricados pela Fab 8 no estado de Nova York e serão o primeiro pedido de defesa da empresa.

Historicamente, as fábricas da IBM trabalhavam para o Pentágono. A GlobalFoundries não foi autorizada a participar desse trabalho por razões de sigilo, o que também não mudou após a transferência de duas fábricas da IBM para as mãos da GlobalFoundries. Há três anos, a GlobalFoundries começou a vender fábricas para otimizar custos. Em particular, ela concordou em transferir a antiga fábrica da IBM Fab 10 para a ON Semiconductor até o final de 2022. Consequentemente, as encomendas militares desta empresa tiveram que ser transferidas para algum lugar e a GlobalFoundries começou a transformar a fábrica Fab 8 em uma instalação sensível.

A empresa Fab 8 ainda não pode se gabar de total conformidade com os requisitos de sigilo, como aconteceu nas fábricas da IBM. No entanto, esta planta da GlobalFoundries já está operando sob regulamentações dos EUA, como ITAR (Regulamentos de Comércio Internacional de Armas) e EAR (Regulamentos de Administração de Exportação). O tempo passará e a Fab 8 receberá o status completo de uma produção secreta, como já foi com as fábricas da IBM. O início dos trabalhos sob contrato com o Pentágono foi o primeiro sinal nesta área.

Por ordem dos militares, a GlobalFoundries produzirá chips em wafers SOI de 300 mm. Este é o chamado silício no isolador. A presença de uma camada isolante sob a camada de silício reduz significativamente as correntes de fuga e torna os chips o mais eficientes em termos energéticos. A propósito, os militares não ficam constrangidos com o fato de que os chips serão produzidos usando uma tecnologia de processo de 45 nm. Para seus propósitos, os semicondutores de 3 e 5 nm não são necessários e até prejudiciais, pois são muito mais sensíveis a influências externas.