Para confirmar as características da UltraRAM de “memória flash de mil anos”, um protótipo de 20 nm será lançado

A QuInAs Technology, desenvolvedora britânica de um novo tipo de memória não volátil, anunciou a compra de equipamentos para a produção de um protótipo de 20 nm. A amostra deve confirmar as altas características declaradas do UltraRAM, desde as mais altas velocidades de leitura até a capacidade de suportar 10 milhões de ciclos de reescrita. Depois disso, a empresa espera iniciar a produção em pequena escala do novo produto e encontrar clientes entre fabricantes de memória mundialmente famosos.

Fonte da imagem: Tecnologia Quinas

A memória UltraRAM foi desenvolvida por físicos das universidades britânicas de Lancaster e Warwick. Para comercializar o empreendimento, a Tecnologia QuInAs foi criada neste inverno. A empresa fez sua estreia no Flash Memory Summit 2023 em agosto e recebeu o prestigiado prêmio de “Startup de memória Flash mais inovadora”. Dizem que os representantes da Meta✴ atormentaram os inventores com perguntas. Eles gostaram muito dos parâmetros de eficiência energética do novo produto.

O teste de amostras de 20 nm irá confirmar e, provavelmente, até melhorar as características já muito boas da futura memória não volátil, que pode potencialmente substituir a memória flash 3D NAND. O desenvolvedor espera uma redução de ordem de magnitude na latência do UltraRAM em comparação com a DRAM RAM e um aumento nos ciclos de reescrita para 10 milhões ou até mais, o que é várias ordens de magnitude maior do que o NAND 3D moderno. A latência ao ler o UltraRAM deve ser de cerca de 1 ns.

Além disso, a carga nas células UltraRAM pode ser armazenada por mais de 1000 anos sem vazamentos, o que, em geral, indica sua alta eficiência energética. UltraRAM promete ser 100 vezes mais eficiente em termos energéticos que DRAM e 1000 vezes melhor que 3D NAND.

A mais alta eficiência energética e proteção contra vazamentos são fornecidas por uma inovadora válvula flutuante de três camadas feita de arsenieto de índio e antimoneto de alumínio (InAs / AlSb). Na memória NAND 3D convencional, a porta flutuante de óxido na célula é gradualmente destruída, enquanto a memória UltraRAM possui uma porta de três camadas que é quase neutra a influências externas. A leitura também ocorre de forma não destrutiva, o que no total proporciona um número incrível de ciclos de reescrita para os padrões modernos. Os elétrons entram na célula através da barreira tripla na ressonância e saem da mesma maneira durante o processo de apagamento, tornando o processo de escrita muito, muito eficiente em termos energéticos.

Para continuar trabalhando no UltraRAM, a empresa recebeu uma doação do fundo ICURe Exploit do Reino Unido da Innovate UK, que deve ser anunciada em breve. Os recursos ajudarão a aproximar a comercialização do produto. Como admitiu a QuInAs Technology, os fabricantes de memória estão sendo procurados em Taiwan, e não na Europa. Aparentemente, os processadores e controladores serão os primeiros a usar a nova memória como matrizes incorporadas. Memória de alta velocidade, resistente ao desgaste e não volátil para processadores é a chave para aumentar o desempenho, a mobilidade e até mesmo novas arquiteturas.