O silício elementar foi descoberto em 1824, mas o primeiro transistor foi feito apenas cento e vinte anos depois. O grafeno foi descoberto há 15 anos. Suas características elétricas eram tão incríveis que cientistas de todo o mundo se apressaram em inventar transistores com base nele. Até o momento, muitas propostas interessantes foram feitas, e a série de descobertas só está crescendo, e recentemente cientistas do Reino Unido deram sua contribuição para a microeletrônica de grafeno.
Pesquisadores da Universidade de Sussex, no Reino Unido, estão estudando o uso de formas “amassadas” de grafeno, ou seja, o efeito de várias deformações físicas nas propriedades elétricas do material de partida. Esta é uma direção relativamente nova na promissora microeletrônica, que é chamada de stretrônica de tensão. Alan Dalton, professor da Escola de Ciências Matemáticas e Físicas da Universidade de Sussex, disse: “Nós criamos curvas mecanicamente na camada de grafeno. Parece um pouco com um nanoorigami. “
No campo da straintrônica, já foi revelado que a deformação da estrutura de nanomateriais 2D, como grafeno ou dissulfeto de molibdênio, leva à manifestação de novas propriedades eletrônicas, mas a influência exata de várias “dobras” permanece mal compreendida. Em seu estudo, cientistas britânicos investigaram o efeito das mudanças estruturais no grafeno em propriedades como dopagem (adição de impurezas). Por exemplo, espera-se que a deformação do grafeno aumente significativamente a densidade do elétron no material, transformando-o de condutor em supercondutor.
Manoj Tripathi, um pesquisador de materiais nanoestruturados da Universidade de Sussex que liderou o estudo, disse: “Nós mostramos que podemos criar estruturas a partir de grafeno e outros materiais 2D simplesmente adicionando dobras deliberadas, como corrugação à estrutura, e podemos criar um componente eletrônico inteligente, como um transistor ou uma porta lógica. ” No futuro, segundo os pesquisadores, o grafeno “amassado” permitirá a criação de chips cem vezes menores que funcionarão mil vezes mais rápido que os de silício.
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