ARM formou uma empresa para desenvolver tecnologias CeRAM – memória de estado sólido com excelente desempenho

A ARM anunciou a formação de uma nova empresa, Cerfe Labs, para a qual transferiu patentes, ativos e especialistas para desenvolver e licenciar a memória não volátil CeRAM. CeRAM é uma forma de memória resistiva e promete ser uma nova “memória flash” com excelente desempenho.

CeRAM promete fácil escalonamento versus ReRAM e outros benefícios

Cerfe Labs recebeu 150 famílias de patentes relacionadas à CeRAM. O Cerfe Labs é liderado por Eric Hennenhoefer e o CTO por Greg Yeric – ambos veteranos do departamento de pesquisa da ARM e trabalharam na CeRAM e em outras tecnologias de memória emergentes nos últimos anos.

Deve-se dizer que o inventor da memória CeRAM é considerado a Symetrix Corporation, com a qual a ARM começou a desenvolver em conjunto neste tópico há seis anos. Na verdade, a Cerfe Labs arcará com o fardo de uma parceria adicional com a Symetrix, e o objetivo imediato da Cerfe Labs é criar protótipos de memória CeRAM e licenciar a tecnologia para empresas interessadas.

A Cerfe Labs também continuará a pesquisar em conjunto a ARM e a Symetrix no campo da memória ferroelétrica (transistores ferroelétricos, FeFET), também inventada pela Symetrix. Ambos os novos tipos de memória, de maneira importante, são suportados pelo programa DARPA para o renascimento da indústria eletrônica dos Estados Unidos (ERI FRANC). Como parte do programa, ARM e Symetrix estudaram materiais promissores para a nova memória e conduziram uma série de experimentos promissores para criar células MLC na nova memória.

Em conclusão, vamos explicar que CeRAM é uma versão mais estável de memória resistiva com todas as consequências decorrentes: baixa latência, alta velocidade de chaveamento, confiabilidade, resistência ao desgaste e assim por diante. Mas o principal é que as junções resistivas CeRAM (células) se comportam de forma mais previsível (como afirmam os desenvolvedores) do que as células ReRAM baseadas em filamentos iônicos condutores e semelhantes.

A característica de corrente-tensão da célula CeRAM mostra duas tensões de comutação de estado estável (0,8 e 1,6 V)

É interessante acrescentar que CeRAM explora fenômenos na rede cristalina de materiais que não foram levados em consideração anteriormente. A saber, a correlação de elétrons ou, se mais simples, efeitos de tunelamento (transições) de elétrons de um átomo do material para outro (condutividade) com base na influência mútua dos elétrons, e não sob a influência da repulsão ou salto de Coulomb, como comumente se acredita na teoria dos sólidos.

Será interessante conhecer as características do protótipo. E esse negócio está claramente em um futuro próximo, já que se tratou de criar uma empresa separada.