Fontes sul-coreanas relatam que a Micron não tem planos de expandir o uso de scanners EUV na produção de memória no futuro próximo. O anúncio estrondoso dos primeiros chips Micron DDR5 de 1γ geração do mundo usando litografia EUV (comprimento de onda de 13,5 nm) acabou sendo uma espécie de ataque psicológico aos concorrentes. No futuro, a empresa pretende contar com o uso generalizado de scanners clássicos de 193 nm na produção de DRAM.
Fonte da imagem: Micron
A Chosun Biz relatou que, ao produzir a memória DDR5 1γ (gama) da Micron, apenas uma camada entre várias dezenas é processada usando um scanner EUV. Todas as outras camadas são criadas usando lasers excimer de fluoreto de argônio (ArF) imersos em líquido (a chamada litografia de imersão para melhor resolução). Dessa forma, a empresa continua a usar uma abordagem multimáscara, usando diversas fotomáscaras para cada camada de chips em vez de um único modelo na litografia EUV. Isso aumenta o número de etapas tecnológicas no processamento de cada pastilha de silício com memória e, portanto, o custo de produção.
A publicação observa que a abordagem multimáscara pode ser justificada se servir como uma alternativa aos scanners EUV para processar 1–3 camadas de microcircuitos. No entanto, se mais camadas precisarem ser processadas usando EUV, confiar na litografia ArF custará significativamente mais ao fabricante, o que tornará o produto menos competitivo (mais caro) a longo prazo.
A Samsung e a SK Hynix já estão planejando usar scanners EUV para processar mais de cinco camadas de chips (atualmente memória HBM), e a Micron ficará seriamente para trás nesse cenário. Se as informações da Chosun Biz estiverem corretas, a empresa continuará a usar scanners EUV para apenas uma camada crítica por muito tempo, contando com scanners de 193 nm para todo o resto.