A Micron lançará memória DRAM da maneira tradicional por mais dois anos, sem scanners EUV

Como parte do próximo relatório trimestral, a Micron compartilhou planos para a implementação de processos tecnológicos avançados para a produção de RAM. É relatado que a empresa começará a mudar para scanners EUV em 2024, o que é pelo menos quatro anos mais tarde do que Samsung e SK hynix. Mas isso não significa que a memória Micron será pior ou mais cara todos esses anos. A Micron alcançou a excelência no uso de scanners de 193 nm e vai mantê-la.

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Neste inverno, a Micron iniciou a produção piloto de chips DRAM usando a tecnologia de processo 1α (esta designação esconde uma tecnologia de processo com normas de 12 a 14 nm). A produção em massa de memória no processo 1-alpha foi lançada no verão e hoje a maior parte da RAM da Micron é produzida usando a tecnologia de processo 1z ou 1α. A superioridade do processo técnico 1α foi reconhecida até mesmo pela Samsung e foi capaz de se aproximar de seus padrões apenas alguns meses atrás (e não o fato de que eles o ultrapassaram). A Samsung usa scanners EUV de 13,5 nm muito mais caros e mais caros, enquanto a Micron continua a usar scanners de 193 nm.

Nos próximos 12-18 meses, a Micron entrará em produção com o próximo processo técnico – 1β (beta). Isso marcará mais um passo na redução do tamanho dos chips DRAM, embora a empresa continue a ocultar os regulamentos exatos por trás do nome genérico “10nm product grade”. O processo 1β manterá o uso de scanners de 193 nm.

Finalmente, a tecnologia de processo 1γ (gama) entrará em produção em 2024. Para implementar esses planos, alguns dos scanners litográficos serão substituídos por scanners EUV. Aparentemente, a Micron, como a Samsung, usará scanners EUV para fabricar 2-4 camadas críticas, enquanto todas as outras (até dez) camadas abaixo serão fabricadas usando scanners de 193 nm usando litografia de imersão por imersão. Placas em líquido para aumentar a resolução óptica.