Um dos principais fabricantes da NAND Flash Memória e produtos com base nele (por exemplo, SSD), a Japonesa Kioxia Corporation, anunciou sua intenção de investir muitos fundos na expansão do campus tecnológico em Yokohama. A empresa gastará mais de 180 milhões de dólares para a construção de um novo centro de pesquisa e expandindo as capacidades existentes.
Assim, o desenvolvimento de desenvolvimento de tecnologia será expandido (edifício de desenvolvimento de tecnologia) no território do Parque Tecnológico do Campus de Tecnologia de Yokohama. Além disso, um novo centro de pesquisa de shin-koyasu avançado será erguido. Espera-se que os projetos sejam encomendados em 2023 – eles permitirão uma pesquisa de forma mais eficaz e se envolverem em desenvolvimento tecnológico.
A área ocupada pela Kioxia em Yokohaam aumentará quase duas vezes. Espera-se que a expansão aumente a eficácia da avaliação dos produtos desenvolvidos e, como resultado, a qualidade dos produtos acabados. Além disso, um aumento nas áreas de pesquisa garantirá a colocação de novos pesquisadores. O edifício terá um design “ecologicamente correto” e equipará equipamentos “energeticamente eficientes”. O Schin-Koyasu Research Center Square será aplicado a uma ampla gama de estudos, com foco no desenvolvimento de novos materiais e processos.
Investir na criação de novas capacidades, a Kioxia pretende aumentar a possibilidade de desenvolver memória flash e SSD, levando em conta a demanda global por produtos desse tipo. A empresa pretende produzir uma nova memória de geração e fortalecer sua posição no mercado relevante.
Construção de um novo edifício de desenvolvimento de tecnologia (desenvolvimento de desenvolvimento) de cerca de 40.000 metros quadrados é planejado para começar no outono do ano atual, e no verão de 2023, deve ser comissionado. O avançado centro de pesquisa Schin-Koyasu com uma área total de 13.000 metros quadrados está planejando colocar em operação ao mesmo tempo.
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