A fotônica de silício russa abre caminho para celulares 6G

Um grupo de cientistas liderado pelo Professor Vladimir Drachev, Candidato de Ciências Físicas e Matemáticas (Centro de Design, Tecnologias de Fabricação e Materiais) desenvolveu uma tecnologia e criou um dispositivo que permite modular a radiação óptica com comprimento de onda de 1,5 mícron e um sinal elétrico com frequência de até 10 GHz. O componente criado pertence à chamada fotônica de silício e promete levar à “localização completa da produção de infraestrutura 6G e equipamentos terminais na Rússia”.

IPQ / KIT

Espera-se que o celular de sexta geração (6G) seja lançado na virada da próxima década. Um aumento na taxa de transferência de dados e uma redução adicional nos atrasos exigirão uma colocação mais densa de estações de base e, portanto, aumentará muito a carga na infraestrutura de cabo (conectando estações de base, periféricos e centros de dados principais). Tudo isso força todos os esforços a serem direcionados ao desenvolvimento de conversores mais eficientes de sinais de rádio terahertz e subterahertz na faixa óptica.

Cientistas russos, como o pensamento científico mundial, estão ocupados procurando tecnologias para a produção de elementos técnicos de rádio que convertam um sinal de rádio em “luz” para transmissão por um cabo óptico. Em particular, um novo comunicado de imprensa da Skoltech nos informa que um grupo de cientistas russos fez algum progresso na criação de protótipos de tais elementos.

«A natureza inovadora do desenvolvimento consiste na implementação prática de uma amostra experimental de um modulador eletro-óptico de plasmon de ultra-alta frequência, cujas dimensões não excedem várias dezenas de mícrons. O dispositivo resultante, fabricado com tecnologia plana de semicondutor padrão, será usado como um elemento de um transceptor radiofotônico de 6G terahertz. “

O documento publicado pela Skoltech não explica a essência do desenvolvimento. Portanto, deixe-nos esclarecer que estamos falando sobre a conversão de um sinal elétrico em fótons devido a tais efeitos em um meio especial como a excitação de quasipartículas de plasmon.

A tecnologia apresentada garante total compatibilidade com os processos de fabricação de estruturas de metal-óxido-semicondutor (MOS) à base de silício sobre isolante (SOI). Ele também promete compatibilidade com outros radiofotônicos planares e dispositivos fotônicos integrados devido ao uso de comprimentos de onda padrão do espectro óptico e interfaces de I / O, alta inércia devido ao uso de modulação óptica do “obturador” plasmônico nanométrico e outras vantagens sem as quais será difícil imaginar o futuro das telecomunicações.