A Samsung construirá um novo centro de pesquisa de semicondutores na Coréia por US $ 15 bilhões – irá além dos limites das tecnologias modernas

A Samsung Electronics lançou as bases para uma nova instalação de pesquisa e desenvolvimento de semicondutores em Giheung, República da Coreia. Até 2028, a Samsung investirá 20 trilhões de won (US$ 15 bilhões) no novo centro. O novo centro conduzirá pesquisas de ponta sobre a próxima geração de memória e outros semicondutores, bem como desenvolverá novas tecnologias inovadoras.

Fonte da imagem: Samsung

Notavelmente, os novos edifícios de 109.000 m2 serão erguidos perto do campus da DS em Hwaseong, onde a primeira DRAM de 64 Mbit do mundo foi desenvolvida em 1992, marcando o início da liderança de semicondutores da empresa.

«Nossa nova instalação de P&D de última geração será um centro de inovação onde os melhores cientistas de todo o mundo podem vir e se desenvolver”, disse Kye Hyun Kyung, presidente da empresa, que também lidera a divisão Device Solutions (DS). . “Esperamos que este novo começo estabeleça as bases para o crescimento sustentável do nosso negócio de semicondutores.”

Não é segredo que os limites de escala dos semicondutores estão próximos de seu limite teórico dentro da estrutura dos processos técnicos desenvolvidos. Neste verão, a Samsung se tornou a primeira empresa a produzir em massa chips com transistores totalmente canalizados completamente cercados por portas GAA (Gate All Around). Com o estabelecimento de um novo centro de P&D, a Samsung Electronics pretende ampliar ainda mais os limites do dimensionamento de semicondutores e fortalecer sua vantagem competitiva em tecnologia de semicondutores.