ULTRARAM está cotada para substituir 3D NAND – memória com recurso de 10 milhões de ciclos e armazenamento de dados de até 1000 anos

No Flash Memory Summit 2023 em agosto, não foi apenas o flash NAND 3D de 321 camadas de ponta da SK hynix que ganhou prêmios. Os especialistas também premiaram a promissora memória ULTRARAM, que combina a velocidade da RAM e a não volatilidade da memória flash. A empresa para sua produção comercial foi criada apenas no início deste ano, e o FMS 23 Summit foi na verdade uma estreia para ela.

Fonte da imagem: Tecnologia Quinas

A memória ULTRARAM é jovem em todos os sentidos. Sua estrutura foi inventada por cientistas das universidades britânicas de Lancaster e Warwick. Um artigo sobre a nova memória foi publicado na revista Nature em 2019. Em 2022, os desenvolvedores criaram amostras de memória e, em janeiro deste ano, anunciaram a criação da Quinas Technology para promovê-la.

Uma característica distintiva do ULTRARAM pode ser considerada a maior resistência ao desgaste e perda de carga. Os desenvolvedores prometem pelo menos 10 milhões de ciclos de reescrita e retenção de carga por 1000 anos. É possível fechar a tampa do laptop durante o jogo e continuá-la após 1000 anos levantando-a novamente. O jogo continuará a partir do momento em que foi interrompido pelos sensores de fechamento da tampa do laptop.

Alta estabilidade e retenção de carga ultralonga são prometidas pelo design e materiais usados ​​da ULTRARAM, e não é silício. A célula de armazenamento e a camada rica em elétrons são separadas por três barreiras de arseneto de índio e antimoneto de alumínio (InAs/AlSb). O isolamento é tão bom que o vazamento de carga pode ser desprezado. Mas como os elétrons entram em uma célula?

Para isso, existe um fenômeno tão bem estudado e aplicado na eletrônica como o tunelamento. Se os elétrons receberem uma certa energia, que os inventores chamam de ressonante, eles conseguem vencer as barreiras e ir parar na célula. Você pode removê-los de lá (apagar ou substituir a célula) em condições semelhantes. Sozinhos, na verdade nunca o abandonam. A carga ficará armazenada na célula sem a necessidade de alimentá-la, como é o caso da memória flash. Ao mesmo tempo, as características de velocidade do ULTRARAM estão se aproximando da velocidade da RAM.

Assim, as primeiras amostras de ULTRARAM mostraram uma velocidade de comutação inferior a 10 ms em uma tensão de apagamento de 2,5 V, que se apresenta como o melhor resultado entre os tipos promissores de memória não volátil. Em teoria, o desempenho promete ser de 10 ns.

O desenvolvedor avalia com sobriedade as perspectivas do ULTRARAM e não acredita que ele vá “explodir” o mercado de sistemas de armazenamento de dados. Mas para várias áreas pode ser muito, muito popular. Por exemplo, para dispositivos periféricos de Internet, cuja limitação de energia nos obriga a procurar compromissos entre tamanhos de memória, desempenho e consumo. Essa “RAM sem comutação” será procurada em servidores, bem como no campo da criação de um cérebro artificial, onde os dados são armazenados e processados ​​u200bu200bem um só lugar.

As negociações com os fabricantes já estão em andamento, dizem os desenvolvedores. A produção do ULTRARAM pode começar mais cedo do que imaginávamos.