À medida que os preços da memória flash aumentaram, seus fabricantes se animaram e começaram a falar sobre novos planos para melhorar as tecnologias para sua produção. A SK hynix anunciou esta semana que está iniciando a produção em massa da primeira memória 3D NAND de 321 camadas do mundo (a própria empresa a chama de 4D NAND), que começará a ser enviada aos clientes na próxima metade do ano.
Como líder no segmento HBM exigido por aceleradores de IA, a SK hynix agora afirma ser um “fornecedor de ciclo completo” de memória para sistemas de inteligência artificial. Lembra que em junho do ano passado se tornou o primeiro fornecedor mundial de memória NAND de 238 camadas, e agora, através do uso de tecnologias avançadas para instalação de pilhas dentro do chip, é o primeiro a superar a marca de 300 camadas. Os clientes começarão a receber chips de memória 3D NAND de 321 camadas e terabit no primeiro semestre de 2025.
O progresso no aumento do número de camadas de memória foi alcançado através do aprimoramento da tecnologia de criação de canais verticais e do uso de um material com maior estabilidade mecânica. Ao mesmo tempo, a memória de 321 camadas foi desenvolvida na mesma plataforma da memória de 238 camadas. A transição para uma nova geração de produtos aumentará a produtividade da produção em 59% com riscos mínimos.
Além disso, a nova geração de memória aumenta a velocidade de transferência de dados em 12% e melhora a velocidade de leitura em 13%, enquanto a eficiência energética destas operações aumenta em mais de 10%. Esses chips se tornarão uma boa base para unidades modernas de estado sólido de alta velocidade usadas em sistemas de inteligência artificial.
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